带隙基准源，什么是带隙基准源？

一、带隙基准源，什么是带隙基准源？

Bandgap voltage reference，常常有人简单地称它为Bandgap。最经典的带隙基准是利用一个与温度成正比的电压与一个与温度成反比的电压之和，二者温度系数相互抵消，实现与温度无关的电压基准，约为1.25V。因为其基准电压与硅的带隙电压差不多

二、带隙基准电压源电路及其公式推导？

带隙基准源可以在 0～70℃的温度范围内有 lO ppm/℃的温度系数。由 室温下温度系数为-2.2 mV/℃的 PN 结二极管产生电压为 VBE。

三、cmos带隙基准电压？

带隙是导带的最低点和价带的最高点的能量之差。也称能隙。带隙越大，电子由价带被激发到导带越难，本征载流子浓度就越低，电导率也就越低

　　带隙主要作为带隙基准的简称，带隙基准是所有基准电压中最受欢迎的一种，由于其具有与电源电压、工艺、温度变化几乎无关的突出优点，所以被广泛地应用于高精度的比较器、A/D或D/A转换器、LDO稳压器以及其他许多模拟集成电路中。带隙的主要作用是在集成电路中提供稳定的参考电压或参考电流，这就要求基准对电源电压的变化和温度的变化不敏感。

　　带隙基准技术基本原理

　　基准电压源已成为大规模、超大规模集成电路和几乎所有数字模拟系统中不可缺少的基本电路模块。基准电压源可广泛应用于高精度比较器、A/D和D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中。带隙基准电压源受电源电压变化的影响很小，它具备了高稳定度、低温漂、低噪声的主要优点

四、带隙基准电压源的性能指标？

Bandgap voltage reference，常常有人简单地称它为Bandgap。最经典的带隙基准是利用一个与温度成正比的电压与一个与温度成反比的电压之和，二者温度系数相互抵消，实现与温度无关的电压基准，约为1.25V。因为其基准电压与硅的带隙电压差不多

五、二极管做带隙基准的原因？

最经典的带隙基准是利用一个与温度成正比的电压与一个与温度成反比的电压之和，二者温度系数相互抵消，实现与温度无关的电压基准，约为1.25V。因为其基准电压与硅的带隙电压差不多，因而称为带隙基准。实际上利用的不是带隙电压。现在有些Bandgap结构输出电压与带隙电压也不一致

六、基准电路功能？

基准电路的功能是为串联型稳压电路、A/D和D/A转化器提供基准电压，也是大多数传感器的稳压供电电源或激励源。另外，基准电压源也可作为标准电池、仪器表头的刻度标准和精密电流源。

七、零带隙和间接带隙的区别？

零带隙，指没有隙缝。 间接带隙，指有些时候带点缝隙。

八、什么是基准电路？

基准电压是指传感器置于0℃的温场（冰水混合物），在通以工作电流（100μA）的条件下，传感器上的电压值。 实际上就是0点电压。其表示符号为V（0），该值出厂时标定，由于传感器的温度系数S相同，则只要知道基准电压值V（0），即可求知任何温度点上的传感器电压值，而不必对传感器进行分度。”

基准电压一般采用专用的集成电路，IC 内部有抑制温漂的措施，高精度基准电压发生器必须置于恒温槽内。

交流电也有基准电压，如用于交流测量仪表的校准。

传感器也有基准电压，与上述含义不同。表示在标准状态下，传感器的静态输出值。

九、氧化锡是直接带隙还是间接带隙？

直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。

间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。电子在k状态时的动量是（h/2pi）k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。

所以氧化锡属于直接带隙。

十、fto的带隙值？

SnO2的带隙值是一种对可见光透明的宽带隙氧化物半导体，禁带宽度3.7-4.0eV,具有正四面体金红石结构。在掺了氟之后，SnO2薄膜具有对可见光透光性好、紫外吸收系数大、电阻率低、化学性能稳定以及室温下抗酸碱能力强等优点。FTO导电玻璃为掺杂氟的SnO2透明导电玻璃(SnO2:F)，简称为FTO。FTO玻璃被作为ITO导电玻璃的替换用品被开发利用，可被广泛用于液晶显示屏，光催化，薄膜太阳能电池基底、染料敏化太阳能电池、电致变色玻璃等领域。