饱和电流定义？
一、饱和电流定义？
饱和电流：
在入射光一定时，增大光电管两极的正向电压，提高光电子的动能，光电流会随之增大。但光电流不会无限增大，要受到光电子数量的约束，有一个最大值，这个值就是饱和电流。
当入射光强度增大时，根据光子假设，入射光的强度（即单位时间内通过单位垂直面积的光能）决定于单位时间里通过单位垂直面积的光子数，单位时间里通过金属表面的光子数也就增多，于是，光子与金属中的电子碰撞次数也增多，因而单位时间里从金属表面逸出的光电子也增多，饱和电流也随之增大。
二、饱和电流是什么？
在入射光一定时，增大光电管两极的正向电压，提高光电子的动能，光电流会随之增大。但光电流不会无限增大，要受到光电子数量的约束，有一个最大值，这个值就是饱和电流。
只要光的频率超过某一极限频率，受光照射的金属表面立即就会逸出光电子，发生光电效应。当在金属外面加一个闭合电路，这些逸出的光电子全部到达阳极便形成所谓的光电流。不加电源也会产生电流，若加逆向电源，会减小光电流。正向电流会增大光电流。
所以，当入射光强度增大时，根据光子假设，入射光的强度（即单位时间内通过单位垂直面积的光能）决定于单位时间里通过单位垂直面积的光子数，单位时间里通过金属表面的光子数也就增多，于是，光子与金属中的电子碰撞次数也增多，因而单位时间里从金属表面逸出的光电子也增多，饱和电流也随之增大。
三、饱和电流is的计算？
二极管的反向饱和电流Is受温度影响,工程上一般用式 Is(t)=Is(t0)2^[(t-t0)/10] 近似估算,式中t0为参考温度。
四、饱和电流的推导？
饱和光电流公式计算公式：I=ne/t，光电效应的光电流，金属物体在光的照射抄下发射电子，使金属带正电的现象叫光电效应，发射出的电子叫光电子，很多光袭电子形成的电流叫光电流
五、增大饱和电流的方法？
有两个方法，
1用逆变的方法，那样电压会下降。由于效率的问题。输出的功率也会降低。逆变消耗的功率一块电池板也许不够用，这个方法就行不通了。
2并联太阳能电池板，电流会成倍加大。功率也会成倍的加大
电压取决于盐水浓度和两极板的材料；浓度越大，电压越大；单质活性相差越多，就电压越大
应该问的是最大供电能力吧，反应速度越大，供电能力越大
六、什么是反向饱和电流？
反向饱和电流是发生在二极管中的由于施加电压产生的一种电流。
二极管中：如果给它加反向电压，反向电压在某一个范围内变化，反向电流（即此时通过二极管的电流）基本不变，好像通过二极管的电流饱和了一样，这个电流就叫反向饱和电流。
其他器件中也有类似的情况。
其根本在于PN结的单向导电性。
反向电流是由少数载流子的漂移运动形成的，同时少数载流子是由本征激发产生的（当温度升高时，本征激发加强，漂移运动的载流子数量增加），当管子制成后，其数值决定于温度，而几乎与外加电压无关。
在一定温度T下，由于热激发而产生的少数载流子的数量是一定的，电流的值趋于恒定，这时的电流就是反向饱和电流。
七、关于饱和电流的公式？
磁感应强度B是垂直于单位面积的磁力线的数量；磁通Φ是磁感应强度B与面积的乘积，即Φ=BS，B=Φ/S，而磁链Ψ是导电线圈或电流回路所链环的总磁通量，即Ψ=NΦ=LI，Φ=LI/N，代入B=Φ/S=LI/N/S，N匝数，S面积都是不变的，磁饱和后B也是不变，那电流再增加的话，L就要减小，知道没有感值，相当于一导线，即失去电感作用。或，磁导率u=B/H，B=LI/N/S，H=NIK（N匝数，I电流，K系数），那u=LI/N/S/NIK，L=uN^2SK，匝数N不变，面积S不变，系数K不变，而磁导率u会随电流增大而较小，当饱和时磁导率u趋近于1，再增加，那磁导率u趋近于0，从公式看，电感是与磁导率正比的，即电流一直增加，电感值也趋近于0，没有感值，失去电感作用。
八、饱和电流的物理意义？
饱和电流 Isat 一般是指电感值相对于初始值衰减 30%（一些厂家是 10%，40%）的偏置电流。
电感一般都含有磁芯，特别是功率电感，磁芯是存在磁饱和的。什么是磁饱和呢？由于磁芯材料自身的特性，其通过的磁通量是不可以无限增大的。通过一定体积导磁材料的磁通量大到一定数量将不再增加，不管你再增加电流或匝数，就达到磁饱和了。
当电流已经使磁芯饱和，再增加电流，也基本不会再使磁通量增加，或者说增加很少，等同于空心电感的增量，因为饱和之后磁芯失去作用，等同于空心电感。
电流增大，而磁通量不增加，那么电感阻碍电流的作用就没有了，也就是说电感器失去了作用，这时的磁芯完全饱和。
九、nmos管的饱和电流公式？
MOS管饱和区电流公式是Ids=0.5*u*Cox*W/L*(Vgs-Vth)^2，
晶体管迁移率=晶体管实际迁移数量÷晶体管计划迁移数量
十、饱和电流的电压怎么算？
饱和电流，或者更精确的说，反向饱和电流是半导体二极管中由少数载流子从中立区到耗尽层或耗尽区的扩散引起的那部分反向电流。反向饱和电流几乎不受反向电压的影响。
(1，Steadman 1993, 459) IS，一个理想p-n二极管的反向偏置饱和电流由下式(2，Schubert 2006, 61)给出:其中，IS是反向偏置饱和电流，
e 是基本电荷，
A 是横截面积，
Dp,n分别是空穴和电子的扩散系数，
ND,A分别是施主和受主在n侧和p侧的浓度，
ni是半导体材料的本征载流子浓度，
分别是空穴和电子的载流子寿命。
从本征半导体浓度与二极管障壁电压的关系，饱和电流可以改写成：这里的k 是波兹曼常数，约为8.617 343(15)×10−5eV/K，
T 是绝对温度，
VB是二极管的障壁电压。
需要注意的是，一个给定器件的饱和电流不是一个常数；它随温度而变化；当温度作为二极管特性的参数时，饱和电流是造成二极管变化的主要因素。一个普遍的经验是温度每升高10℃，饱和电流变为原来的2倍。(3，Bogart 1986, 40) 一个更为理想的关系是其中的Eg是半导体的能隙，是二极管的理想因子。
