mos管速度饱和电流公式？
一、mos管速度饱和电流公式？
直接用电路分析法就可求得：（用滤波器公式当然更快）
先求出传递函数，可以用节点电压法：
设C1上端的节点电压为U1,运放同相端电压为U+,反相端电压为U-,则：
u1(1/R1+jwC1+SC2/(1+jwR3C2)+1/R3)-ui/R1-U0/R3=0 (1)
u+=u1*R3/(R3+1/SC2) =u1*jwT32/(jwT32+1) （2）
式中，w=2*3.14*f 是角频率
T32=R3*C2 是同相端时间常数
u-=u0*R/(Rf+R) （3）
设运放放大倍数是无穷大，则有
u+=u-
即（2）=（3）
u1*jwT32/(jwT32+1)=u0*R/(Rf+R)
u1=u0*K(jwT32+1) /jwT32 (4)
式中，令：K=R/(R+Rf） 为负反馈系数
(4)代入(1)
u0*K(jwT32+1) /(jwT32 )*(1/R1+jwC1+jwC2(1+T32)+1/R3)-ui/R1-U0/R3=0
u0*[K(jwT32+1) /(jwT32 )*(R3+jw(C1+C2)R1R3+R1)-R1]=uiR3
u0*[K(jwT32+1) *(R3+jw(C1+C2)R1R3+R1)-R1jwT32 ]=ui*R3jwT32
整理一下写为：
u0*[(jw)^2+ B*jw+C)=ui*R3jwT32
2. 由传递函数转折频率 fL,fH，得出系数T,q
根据 u0*[(*jw)^2+ B*jw+C]=ui*R3jwT32
令特征多项式 (jw)^2+ B*jw+C)=0
方程的两个根应为：w1= 2*3.14*20MHZ ，
w2=2*3.14* 30MHZ，
对应的转折频率就为20Mhz和30Mhz，即
(W-2*3.14*30M)(W-2*3.14*20M)=0
W^2-2*3.14*50M*W+4*3.14^2*600*M^2=0
得
B= -2*3.14*50M
C=4*3.14^2*600*M^2
待回方程 u0*[(jw)^2+ B*jw+C)=ui*R3jwT32
即 u0*[K(jwT32+1) *(R3+jw(C1+C2)R1R3+R1)-R1jwT32 ]=ui*R3jwT32
对应系数列出方程，便可的 电阻电容参数。
二、mos管进入饱和区的现象？
NMOS管时：
1.当Vgs<Vt 时，则NMOS管处于截止区。就是说当栅源电压低于阈值电压时，则管子不导通。
2.当 Vds<Vgs-Vt 时，NMOS管处于三极管区。这时NMOS管相当于一个小的电阻（有的也称为可变电阻区）。
3.当 Vds>Vgs-Vt 时，NMOS管处于饱和区。如果不考虑基区宽度调制效应，我们可以认为漏端电流与Vds无关。
PMOS管时：
1.当|Vgs| < |Vt| 时，则PMOS管处于截止区。就是说当栅源电压低于阈值电压时，则管子不导通。
2.当 |Vds| < |Vgs|-|Vth| 时，PMOS管处于三极管区。这时PMOS管相当于一个小的电阻（有的也称为可变电阻区）。
3.当 |Vds| > |Vgs|-|Vth| 时，PMOS管处于饱和区。如果不考虑基区宽度调制效应，我们可以认为漏端电流与Vds无关。
三、mos管进入饱和区的条件？
判断mos工作在放大区，饱和区，截止区，击穿区。以结型N沟道场效应管为例：
1、输出特性曲线中，场管的工作区域分成了三个部分：可变电阻区（对应三极管的饱和区），恒流区（对应三极管的放大区），夹断区，也叫截止区（对应三极管的截止区）。
2、介于可变电阻区和恒流区之间的那条橙色曲线是预夹断轨迹，它是各条曲线上使uDS=uGS−uGS(off) 的点连接而成的，预夹断轨迹满足方程：uDS=uGS−uGS(off)。可变电阻区就应该满足uDS<uGS−uGS(off)。恒流区就应该满足：uDS>uGS−uGS(off)。而截止区就是满足uGS<uGS(off)
四、mos管的电流公式怎么得出？
公式：PD=TJ-TC/RθJC，当功率MOSFET流过最大的连续漏极电流时，产生最大功耗为PD因此，二式联立，可以得到最大的连续漏极电流ID的计算公式：ID=TJ- Tc （1）Ip =Rac●Rps（on）。 T/mx）其中，RDS（ON）为在最大工作结温TJ下，功率MOSFET的导通电阻；通常，硅片允许的最大工作结温为150℃。
上述的电流是基于最大结温的计算值；事实上，它还要受到封装的限制。在数据表中，许多公司标示的是基于封装限制最大的连续漏极电流、而有些公司标示的是基于最大结温的电流，那么它通常会数据表注释中进行说明，并示出基于封装限制的最大的连续漏极电流。
五、mos管电流计算公式？
公式：PD=TJ-TC/RθJC，当功率MOSFET流过最大的连续漏极电流时，产生最大功耗为PD因此，二式联立，可以得到最大的连续漏极电流ID的计算公式：ID=TJ- Tc （1）Ip =Rac●Rps（on）。 T/mx）其中，RDS（ON）为在最大工作结温TJ下，功率MOSFET的导通电阻；通常，硅片允许的最大工作结温为150℃。
上述的电流是基于最大结温的计算值；事实上，它还要受到封装的限制。在数据表中，许多公司标示的是基于封装限制最大的连续漏极电流、而有些公司标示的是基于最大结温的电流，那么它通常会数据表注释中进行说明，并示出基于封装限制的最大的连续漏极电流。
六、nmos管的饱和电流公式？
MOS管饱和区电流公式是Ids=0.5*u*Cox*W/L*(Vgs-Vth)^2，
晶体管迁移率=晶体管实际迁移数量÷晶体管计划迁移数量
七、mos管放大区和饱和区的区别？
MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的半导体器件，其中包括放大区和饱和区两个工作状态。
放大区（Triode Region）是指MOS管工作时的低电压状态，此时栅极与源极之间的电压（Vgs）较小，使得MOS管的导电能力较强。在放大区，MOS管的电流与栅极电压之间存在线性关系，即符合欧姆定律。因此，在放大区，MOS管可以作为放大器使用，将输入信号放大到输出端。
饱和区（Saturation Region）是指MOS管工作时的高电压状态，此时栅极与源极之间的电压（Vgs）较大，使得MOS管的导电能力受到限制。在饱和区，MOS管的电流几乎不再随着栅极电压的增加而增加，达到一个饱和状态。因此，在饱和区，MOS管可以作为开关使用，用于控制电路的开关状态。
总结来说，放大区是MOS管的线性工作区域，用于放大输入信号；而饱和区是MOS管的饱和工作区域，用于控制电路的开关状态。根据MOS管所处的工作状态，可以选择合适的工作区域以满足电路的需求。
八、MOS管电流噪音？
应该是“嗞嗞”的声音对吧。说的是对的，但能发出声音是通过MOS管旁边的线圈完成的，amd耗电量较大，电流也大，所以电源处理电路有缺陷就会产生很多问题。
试一试给线圈重新封胶并检查MOS管的虚焊情况，可能有帮助。
九、MOS管不饱和，怎么调？
要解决MOS管不饱和的问题，需要综合分析多个可能的原因并采取相应的措施。以下是一些建议和步骤：检查驱动电路：确保驱动电路能提供足够的电压和电流来驱动MOS管。如果驱动电压或电流不足，MOS管可能无法完全导通，导致不饱和。检查负载：如果负载过大或存在异常，也可能导致MOS管不饱和。检查并确保负载在正常范围内。调整MOS管的工作点：根据实际情况，适当调整MOS管的工作点，使其在饱和区工作。优化电路设计：如果上述措施仍无法解决问题，可能需要从电路设计的角度出发，优化电路结构，使电路更适应MOS管的工作特性。检查材料和制造工艺：确保使用的材料和制造工艺符合标准，避免因材料或工艺问题导致MOS管性能不佳或不饱和。参考数据表和规格书：查阅MOS管的数据表和规格书，了解其工作特性和推荐的电路应用方式。专业分析和测试：如有条件，可以请专业人士进行深入分析和测试，以找到问题的根本原因并采取有效的解决方案。解决MOS管不饱和问题需要综合考虑多个方面，从电路设计、驱动电路、负载、材料和工艺等多个角度进行分析和优化。
十、mos管电阻公式？
MOSFET选用原则 一、反应时间T(nS)： t n 分为： T(nS) 146 Td(n)(nS) 18 开启时间Tn 导通延迟时间Td(n)+上升时间Tr Tr(nS) 59 二、驱动功率P(mW)： 2 2 P= WF=0.5CU F=0.5*U *F*Q/U=0.5*F*QU 驱动功率P（mW） 14.5 栅源电荷Q（nC） 29 三、热效应E(J)： 相关： 通态电阻RDS（ON）
通态漏极电流ID（ON） 原则 关断时间Tff 判断延迟时间Td(ff)+下降时间Tf Td(ff)(nS) 11 Tf(nS) 58 栅源电压U（V） 10 驱动信号频率F（KHz） 100
