电感饱和电流计算公式？
一、电感饱和电流计算公式？
IR=D*5*Q
IR：电感额定电流（单位A） D：电感线径（单位mm） Q： 线股数
只要光的频率超过某一极限频率，受光照射的金属表面立即就会逸出光电子，发生光电效应。当在金属外面加一个闭合电路，这些逸出的光电子全部到达阳极便形成所谓的光电流。不加电源也会产生电流，若加逆向电源，会减小光电流。正向电流会增大光电流。
二、磁芯饱和电流计算公式？
根据国标GB4706.1-1992/1998规定的电线负载电流值：1mm2的铜线负载电流为6-8A，也即直径为1mm的铜线负载电流为5-7A，为保险我们取值为5A。因此，为了简化，可得出以下经验公式：IR=D*5*QIR：电感额定电流（单位A） D：电感线径（单位mm） Q: 线股数
三、饱和电流is的计算？
二极管的反向饱和电流Is受温度影响,工程上一般用式 Is(t)=Is(t0)2^[(t-t0)/10] 近似估算,式中t0为参考温度。
四、关于饱和电流的公式？
磁感应强度B是垂直于单位面积的磁力线的数量；磁通Φ是磁感应强度B与面积的乘积，即Φ=BS，B=Φ/S，而磁链Ψ是导电线圈或电流回路所链环的总磁通量，即Ψ=NΦ=LI，Φ=LI/N，代入B=Φ/S=LI/N/S，N匝数，S面积都是不变的，磁饱和后B也是不变，那电流再增加的话，L就要减小，知道没有感值，相当于一导线，即失去电感作用。或，磁导率u=B/H，B=LI/N/S，H=NIK（N匝数，I电流，K系数），那u=LI/N/S/NIK，L=uN^2SK，匝数N不变，面积S不变，系数K不变，而磁导率u会随电流增大而较小，当饱和时磁导率u趋近于1，再增加，那磁导率u趋近于0，从公式看，电感是与磁导率正比的，即电流一直增加，电感值也趋近于0，没有感值，失去电感作用。
五、三极管饱和电流计算公式？
算法： 通过负载电流饱和，该基极电流必须Ib=Ic/Beta.。晶体管有不同的增益，因此我们要使用测试版的最低值，以确保饱和。 Rb=(VP-VBE)/Ib=(VP-VBE)*放大系数/Ic=(VP-VBE)*放大系数*Rc/VP 饱和。按照书上的解释就是：在一定的温度和压力下，溶液内所含被溶解物质的量已达到最大限度，不能在溶解了。也可以说是：事物发展到最高限度。这里所讲的饱和就是完全的意思。饱和导通：就是完全导通。
六、mos管速度饱和电流公式？
直接用电路分析法就可求得：（用滤波器公式当然更快）
先求出传递函数，可以用节点电压法：
设C1上端的节点电压为U1,运放同相端电压为U+,反相端电压为U-,则：
u1(1/R1+jwC1+SC2/(1+jwR3C2)+1/R3)-ui/R1-U0/R3=0 (1)
u+=u1*R3/(R3+1/SC2) =u1*jwT32/(jwT32+1) （2）
式中，w=2*3.14*f 是角频率
T32=R3*C2 是同相端时间常数
u-=u0*R/(Rf+R) （3）
设运放放大倍数是无穷大，则有
u+=u-
即（2）=（3）
u1*jwT32/(jwT32+1)=u0*R/(Rf+R)
u1=u0*K(jwT32+1) /jwT32 (4)
式中，令：K=R/(R+Rf） 为负反馈系数
(4)代入(1)
u0*K(jwT32+1) /(jwT32 )*(1/R1+jwC1+jwC2(1+T32)+1/R3)-ui/R1-U0/R3=0
u0*[K(jwT32+1) /(jwT32 )*(R3+jw(C1+C2)R1R3+R1)-R1]=uiR3
u0*[K(jwT32+1) *(R3+jw(C1+C2)R1R3+R1)-R1jwT32 ]=ui*R3jwT32
整理一下写为：
u0*[(jw)^2+ B*jw+C)=ui*R3jwT32
2. 由传递函数转折频率 fL,fH，得出系数T,q
根据 u0*[(*jw)^2+ B*jw+C]=ui*R3jwT32
令特征多项式 (jw)^2+ B*jw+C)=0
方程的两个根应为：w1= 2*3.14*20MHZ ，
w2=2*3.14* 30MHZ，
对应的转折频率就为20Mhz和30Mhz，即
(W-2*3.14*30M)(W-2*3.14*20M)=0
W^2-2*3.14*50M*W+4*3.14^2*600*M^2=0
得
B= -2*3.14*50M
C=4*3.14^2*600*M^2
待回方程 u0*[(jw)^2+ B*jw+C)=ui*R3jwT32
即 u0*[K(jwT32+1) *(R3+jw(C1+C2)R1R3+R1)-R1jwT32 ]=ui*R3jwT32
对应系数列出方程，便可的 电阻电容参数。
七、nmos管的饱和电流公式？
MOS管饱和区电流公式是Ids=0.5*u*Cox*W/L*(Vgs-Vth)^2，
晶体管迁移率=晶体管实际迁移数量÷晶体管计划迁移数量
八、pn结反向饱和电流公式推导？
二极管的反向饱和电流Is受温度影响，工程上一般用式 Is(t)=Is(t0)2^[(t-t0)/10] 近似估算，式中t0为参考温度。上式表明温度每升高10℃时，Is(即本征激发的载流子浓度值ni)增大一倍。
九、三极管饱和电流公式？
算法：通过负载电流饱和，该基极电流必须Ib=Ic/Beta.。晶体管有不同的增益，因此我们要使用测试版的最低值，以确保饱和。Rb= (VP-VBE)/Ib= (VP-VBE)*放大系数/Ic= (VP-VBE)*放大系数*Rc/VP 饱和。按照书上的解释就是：在一定的温度和压力下，溶液内所含被溶解物质的量已达到最大限度，不能在溶解了。也可以说是：事物发展到最高限度。这里所讲的饱和就是完全的意思。饱和导通：就是完全导通。
十、变压器饱和电流计算方法？
变压器电流计算公式是i=s/1.732/u。i--电流，单位a，s--变压器容量，单位kva，u--电压，单位kv。二、快速估算法，变压器容量／100，取整数倍，然后5.5=高压侧电流值，如果要是＊144，就是低压侧电流值。
变压器按用途可以分为：
配电变压器、电力变压器、全密封变压器、组合式变压器、干式变压器、油浸式变压器、单相变压器、电炉变压器、整流变压器、电抗器、抗干扰变压器、防雷变压器、箱式变电器试验变压器。
转角变压器、大电流变压器、励磁变压器等。主要功能有，电压变换、电流变换、阻抗变换、隔离、稳压（磁饱和变压器）等。
