cmos静态电路和动态电路输出的区别？

一、cmos静态电路和动态电路输出的区别？

静态逻辑电路中靠稳定的输入信号使MOS晶体管保持导通或截止状态，从而维持稳定的输出状态。输入信号存在，对应的输出状态存在；只要不断电，输出信息可以长久保持。

动态l逻辑电路中利用电容的存储效应来保存信息，即使输入信号不存在，输出状态也可以保持，但由于泄漏电流的存在，信息不能长期保持。

二、cmos电路静态功耗V的影响因素？

CMOS电路静态功耗的影响因素有：

供电电压 。供电电压与CMOS电路相连的晶体管的驱动电压的大小直接影响电路的功耗。电压越高，晶体管在导通时的电流就越大，静态功耗就越大。

工艺 。随着工艺的先进，晶体管的体积变小，导致CMOS电路的静态功耗变小。目前，各种先进工艺比如14nm及以下的工艺都采用了多种低功耗技术，从而实现了极低静态功耗的芯片设计。

温度 。温度升高也会提高CMOS电路的导通电流和静态功耗，因此在设计CMOS电路时需要考虑散热和温度控制等问题，以减小静态功耗的影响。

三、cmos电路？

CMOS电路采用场效应管，且都是互补结构，工作时两个串联的场效应管总是处于一个管导通，另一个管截止的状态，电路静态功耗理论上为零。实际上，由于存在漏电流，CMOS电路尚有微量静态功耗。单个门电路的功耗典型值仅为20mW，动态功耗（在1MHz工作频率时）也仅为几mW。

四、cmos电路的发展？

CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的。CMOS中的C表示“互补”，即将NMOS器件和PMOS器件同时制作在同一硅衬底上，制作CMOS集成电路。

基本信息

优点 功耗低、速度快、抗干扰能力强、集成度高

应用范围 集成电路

优势

coms工艺

CMOS集成电路具有功耗低、速度快、抗干扰能力强、集成度高等众多优点。CMOS工艺目前已成为当前大规模集 成电路的主流工艺技术，绝大部分集成电路都是用CMOS工艺制造的。

五、CMOS电路特点？

CMOS电路是应用于物理学学科的电路。

CMOS电路由N沟道和P沟道 MOS场效应晶体管对管构成，以推挽形式工作，能实现一定逻辑功能的集成电路。

CMOS电路的特点是：

①静态功耗低，每门功耗为纳瓦级；

②逻辑摆幅大，近似等于电源电压;

③抗干扰能力强，直流噪声容限达逻辑摆幅的35%左右;

④可在较广泛的电源电压范围内工作，便于与其他电路接口；

⑤速度快，门延迟时间达纳秒级；

⑥在模拟电路中应用，其性能比NMOS电路好；

⑦与NMOS电路相比，集成度稍低；

⑧有“自锁效应”，影响电路正常工作。

六、CMOS电路与门电路的区别？

CMOS电路是电路中构成电子元件的性质，门电路是电路的形式。门电路可以有CMOS电路构成，也可以有非CMOS电路构成。

七、ttl电路和cmos电路的区别？

TTL与CMOS电路的区别

TTL：双极型器件，一般电源电压 5V，速度快（数ns），功耗大（mA级），负载力大，不用端多数不用处理。

CMOS：单级器件，一般电源电压 15V，速度慢（几百ns），功耗低，省电（uA级），负载力小，不用端必须处理。

CMOS 和 TTL 电平的主要区别在于输入转换电平。

CMOS：它的转换电平是电源电压的 1/2，因为 CMOS 的输入时互补的，保证了转换电平是电源电压的 1/2。

TTL：由于它的输入多射击晶体管的结构，决定了转换电平是 2 倍的 PN 结正向压降，大约为 1.4V。TTL 电源只有 5V的，而且输入电流的方向是向外的！

CMOS 电路应用最广，具有输入阻抗高、扇出能力强、电源电压宽、静态功耗低、抗干扰能力强、温度稳定性好等特点，但多数工作速度低于 TTL 电路。

如果是 TTL 驱动 CMOS，要考虑电平的接口。TTL 可直接驱动 74HCT 型的 CMOS，其余必须考虑逻辑电平的转换问题。

如果是 CMOS 驱动 TTL，要考虑驱动电流不能太低。74HC/74HCT 型 CMOS 可直接驱动 74/74LS 型 TTL，除此需要电平转换。

由于 CMOS 的输入阻抗都比较大，一般比较容易捕捉到干扰脉冲，所以 NC 的脚尽量要接个上拉电阻，而且 CMOS 具有电流闩锁效应，容易烧掉 IC，所以输入端的电流尽量不要太大，最好加限流电阻。

CMOS :H 5V L 0V,TTL H:4.3V左右,L 0.4V ;

TTL 双极器件、电源电压5V、速度快数ns、功耗大mA级、负载力大，负载以mA计，不用端多半可不做处理。

CMOS 单级器件、电源电压可到15V、速度慢几百nS，功耗低省电uA级、负载力小以容性负载计，不用端必须处理。

设计便携式和电池供电的设备多用CMOS芯片，对速度要求较高的最好选用TTL中的74SXXX系列。

通常用74HCXXX系列的可兼顾速度和功耗。是一种改进型的CMOS技术。

CMOS 和 TTL 电平的主要区别是输入转换电平. CMOS 的转换电平是电源电压的 1/2, 从 4000 系列的电源电压最高可达 18V, 到 74HC 的 5V, 以至 3.3V 和将来的 2.5V, 1.8V, 0.8V 等等. 这是因为 CMOS 的输入是互补的, 保证转换电平是电源电压的 1/2. TTL 由于其输入多射极晶体管的结构所决定, 转换电平是 2 倍的 PN 结正向压降, 大约是 1.4V 左右. TTL 电源只有 5V 的, 而且输入的电流方向是向外的.

八、CMOS电路和TTL电路的区别？

功耗 TTL门电路的空载功耗与CMOS门的静态功耗相比，是较大的，约为数十毫瓦（mw）而后者仅约为几十纳(10-9)瓦；在输出电位发生跳变时（由低到高或由高到低）,TTL和CMOS门电路都会产生数值较大的尖峰电流，引起较大的动态功耗。

速度 通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响 TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值。

电阻数值越大，工作速度越低。管子的开关时间越长，门的工作速度越低。

门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。

将tpd与空载功耗P的乘积称为“速度-功耗积”，做为器件性能的一个重要指标，其值越小，表明器件的性能越 好（一般约为几十皮（10-12）焦耳）。与TTL门电路的情况不同，影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路的外部，即负载电容CL。

CL是主要影响器件工作速度的原因。由CL所决定的影响CMOS门的传输延时约为几十纳秒。

九、cmos门电路的原理？

CMOS门电路一般是由MOS管构成,由于MOS管的栅极和其它各极间有绝缘层相隔,在直流状态下,栅极无电流,所以静态时栅极不取电流,输入电平与外接电阻无关。

MOS逻辑门电路是继TTL之后发展起来的另一种应用广泛的数字集成电路。由于它功耗低、抗干扰能力强、工艺简单，几乎所有的大规模、超大规模数字集成器件都采用MOS工艺。

十、CMOS门电路的特点？

coms集成电路是用MOS管，而TTL电路是用三极管。

所以COMS电路功耗低、适用电压范围宽，高低电平接近理想曲线，由于输入阻抗高，输入端悬空容易受到干扰，不能悬空。

COMS速度比TTL低，只要速度够用，设计电路就应该选择COMS器件。