高温下的阻容吸收电路电阻现象
一、高温下的阻容吸收电路电阻现象
在电子电路中，阻容吸收电路常常会出现电阻温度过高的问题。阻容吸收电路作为一种常见的电路结构，用于滤波、补偿和抑制噪声等应用。然而，在高温环境下，电路的电阻会出现异常的上升，给电路的正常工作带来了困扰。
1. 高温对电阻的影响机理
高温环境下，电阻温度升高主要是由以下原因造成：
- 材料导电性差：在高温下，电阻器的导体材料会发生结构变化，导致电流通过的路径变窄，电阻增加。
- 电阻器内部损耗增加：高温会导致电阻器内部材料的电学特性发生变化，损耗增加，从而使电阻值上升。
- 热膨胀效应：高温引起电阻器内部材料膨胀，使电阻器的尺寸增大，从而导致电阻值的增加。
2. 高温下的影响及解决方法
高温引起电阻值的增加会对电路的性能和稳定性产生负面影响，解决方法主要有以下几种：
- 合理选用高温工作的电阻器：选择适合高温环境工作的电阻器，如采用金属氧化物薄膜电阻器(Metal Oxide Film Resistor, MOFR)等。
- 增加散热措施：采取散热片、散热器等措施，提高电阻器的散热效果，降低温度。
- 优化设计：对电路的结构进行优化设计，减少电阻器所承受的热负荷，避免过度使用或过载的情况。
- 温度补偿电路：在高温环境下，采用温度补偿电路，通过控制电路的工作温度来保持电阻器的稳定性。
综上所述，高温环境对阻容吸收电路中的电阻值会产生不利的影响。选择适合高温工作的电阻器、增加散热措施、优化设计以及采用温度补偿电路等方法，可以有效地解决电阻温度过高的问题，保证电路的正常工作。
感谢您阅读本文，相信通过本文的介绍，您对于阻容吸收电路电阻温度高的问题有了更深入的了解，希望对您在电子电路设计和故障排除中有所帮助。
二、阻容吸收保护电路,元件参数？
电容的选择: C=(2.5-5)×10的负8次方×If If=0.367Id Id-直流电流值 如果整流侧采用500A的晶闸管(可控硅) 可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5mF 选用2.5mF，1kv 的电容器 电阻的选择： R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56 选择10欧 PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)/2 Pfv=2u(1.5-2.0) u=三相电压的有效值
三、尖峰吸收电路元件怎么选？
开关电源中的RCD尖峰吸收电路电容上电压是脉冲波形，其峰值一般为供电电压的2-3倍左右。一般在220V供电的开关电源中，整流后直流电压约为310V，因此，反峰电压约为650-900V。此时RCD尖峰吸收电路电容的耐压应选1KV。所以选用200V是不行的
四、阻容吸收器在电路中起什么作用？
阻容吸收器是一个频敏元件，其可以看作一个典型的串联RC保护电路，一般是用在以下方面做保护功能：
一，感性负载两端，感性负载在电流突变的情况下会产生较高的反向电动势，可能过阻容回路吸收电感的反向电动势，达到保护电路的功能。
二，晶闸管两端，为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管安全运行，在晶闸管两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。
因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管。
同时，避免电容器通过晶闸管放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管。
三，开关触点两端等做保护功能。可缓解开关接通瞬间的大电流，延缓开关触点使用寿命。
五、中频炉阻容吸收怎么量好坏？
1. 先将电容短接放电
2. 万用表欧姆档，10K
3. 观察指针偏转情况，若指针迅速右摆且幅值较大，并随即左摆至差不多原位，则电容好，否则有漏电或者击穿。
六、晶闸管两端并联RC吸收电路可起到什么作用？
在实际晶闸管电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。 我们知道，晶闸管有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管从断态转入通态的最低电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为晶闸管可以看作是由三个PN结组成。 在晶闸管处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管上的阳极电压上升率应有一定的限制。 为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管安全运行，常在晶闸管两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管。同时，避免电容器通过晶闸管放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管。 由于晶闸管过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。
七、阻容吸收器怎么接在接触器？
阻容吸收器是并联方法接在接触器线圈两端，作用是线圈在断电时产生的自感电势很高，日而久之有击穿绝缘造成短路，通过阻容吸收电路将产生的电势吸收掉。不过在电子电路有集成电路、芯片的地方交流接触器有此设计电路。而在控制电动机等电路中是忽视不计这种自感电势的，所以沒必要安装阻容吸收电路。
八、音频阻容耦合放大电路电容怎么选择？
通常，电源滤波可以选大容量的铝电解电容容量大于1万微法，输入及各级间的耦合采用10微法到100微法铝电解电容，功放输出耦合次用1000微法以上大容量铝电解电容，音调电路、去耦采用云母、瓷介等，没有一定标准，最好按照图纸来选取。 以具体电路为例。 完整的分立元件功率放大电路分电源部分、差动输入部分、电压放大（激励级）驱动部分、功率放大输出部分组成。采用功率放大模块、IC等集成电路构成的功放则大同小异。（高频功率放大器除外） 1、电源部分：一台功放中，电源部分的成本应占有总成本的1/3以上，足以说明电源部分的重要性，电源部分所需要的电容有：大容量滤波电解电容、高频滤波小容量电容，应用在整流输出后的滤波，要求高的可以在整流管上并上高频滤波小容量电容。因为我们国家民用电网使用的工频频率为50HZ，所以经过整流管整流后仍存在交流电压，根据整流电路的不同组成结构，半波整流后仍存在50HZ的交流频率，因为输入交流市电的频率是50Hz，半波整流电路去掉了交流电的半周，没有改变单向脉动性直流电中交流成分的频率；全波和桥式整流电路相同，用到了输入交流电压的正、负半周，使频率扩大在倍为100Hz，所以这种单向脉动性直流电的交流成分主要成分是100Hz的，这是因为整流电路将输入交流电压的一个半周转换了极性，使输出的直流脉动性电压的频率比输入交流电压提高了一倍，这一频率的提高有利于滤波电路的滤波。 所以滤波电容就需要采用大容量的电解电容，一般10W以上的功放最少选择1000uF的电解电容，理论上功率增加一倍电容容量也应增加一倍。高频电容是为了滤除电网其他外因素存在的高频干扰信号，使功放背景噪音更宁静，高频电容一般在0.001uF~0.68uF之间。 2、差动输入部分。参看各种功放电路，差动放大级电路各异，但是最大的特点就是一般只有两个电容，分别是正、反相输入端的高频旁路电容，作用是滤除高频干扰以及滤除音频信号极高频的信号，一般电容值在0.1uF~22uF之间。但是这两个电容可以省略掉。 3、电压放大（激励级）驱动部分。这一级基本上不采用电容，一般采用电容的会在三极管B-E极并上高频小容量电容，防止自激震荡发生，以及采用小容量电解电容对恒流源电路滤波。一般此处使用的电容值在5PF~0.1uF之间。 4、功率放大输出部分。同样这一级也极少采用电容，有就是在功率管的Be极并上高频小容量电容防止自激震荡，最后输出端有一个由一个电容和一个电阻串联组成的移相网络，用于防止放大器自激震荡。此处使用的电容在5PF~0.68uF之间。 电容容量的选择是根据设计要求，实际测试结果以及实际应用而选择，同时部分电容可以根据产品性能、成本进行调整等，否则一律按照原电路图标示的元件参数选择。同时在电源正极的各个分支都要接上去耦电容、旁路电容，一般并接在靠近某一级后某一部分电路的正负端 ，容量在0.1uF~220uF之间。
九、单相晶闸管调光电路怎么关掉的？
单相晶闸管调光电路，是应用双向可控硅并利双向触发二极管，及触点电压调整电位器等所组成。
触发电压调整电位器带开，逆时针旋到底开关断开关掉。
十、三相桥式整流电路阻容吸收如果损坏波形还能正确吗？
对整流波形没多大影响。
要坏的一般就是电阻开路，电容短路。听机后6组阻容吸收温度基本一样就没多大问题。
