三极管最大输入电压？

一、三极管最大输入电压？

三极管的工作电压是三极管在工作状态下集电结和发射结的电压。在应用最广的共射极电路中，工作于放大状态时，由Vceo参数决定；工作于开关状态时，由Vcbo参数决定。

如NPN三极管9013，其Vceo=25V，Vcbo=45V工作于放大状态时，最大工作电压是25V；工作于开关状态时，最大工作电压是45V。

又如NPN三极管13003，其Vceo=400V，Vcbo=700V工作于放大状态时，最大工作电压是400V；工作于开关状态时，最大工作电压是700V。由此可见，三极管的最高工作电压，应根据电路要求和不同三极管的特性参数确定，不能一概而论。

二、npn 三极管哪个脚电压最大？

三极管工作状态一般都是在放大状态和开关状态，放大分电压放大和电流放大，不管是何种状态在基极(b)接一个电阻到电压的正端，发射极(e)接电阻到地(负)，也有发射极直接接地的。集电极(c)接电阻到(正)。正常放大工作时基极电压高于发射极0.7v。如此说来集电极电压最高，基极次之，发射极最低。

三、三极管基极最大电压是多少？

大概0.7V。

三极管8050是非常常见的NPN型晶体三极管，在各种放大电路中经常看到它，应用范围很广，主要用于高频放大。也可用作开关电路。

技参数：

类型:开关型;

极性:NPN;

材料:硅;

最大集电极电流(A):0.5 A;

直流电增益:10 to 60;

功耗:625 mW;

最大集电极-发射极电压（VCEO）:25V

特征频率:150 MHz

PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W

3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

MC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz

CS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

四、三极管最大能通多高电压？

三极管的ce极可以承受的电压，根据管子型号的不同，差別非常大。对小功率普通三极管来说，耐压低的仅10伏左右，而一些高反压的硅大功率三极管，其ce极耐压可以达到二千伏左右。而我们一般使用的小功率三极管，ce极的耐压为50伏左右，一般低频管耐压高于高频管。

五、三极管最大的反向电压是多少？

三极管的工作电压是三极管在工作状态下集电结和发射结的电压

在应用最广的共射极电路中，工作放大状态时，由Vceo参数决定；工作于开关状态时，由Vcbo参数决定。

如NPN三极管9013，其

Vceo=25V，Vcbo=45V

工作于放大状态时，最大工作电压是25V;

工作于开关状态时，最大工作电压是45V。

又如NPN三极管13003，其

Vceo=400V，Vcbo=700V

工作于放大状态时，最大工作电压是400V;

工作于开关状态时，最大工作电压是700V.

六、三极管电压最大的是c吗？

这是根据三极管的内部结构来决定的。

当三极管工作在放大状态时：

PNP型三极管，它是E极电流进，B、C极电流出，且C极电流大于B极电流。 所以E极电压最高，C极电压最低。

NPN型三极管，它是E极电流出，B、C极电流进，且C极电流大于B极电流，故这类型的三极管是C极电压最高，E极电压最低。

七、三极管门极电压最大为多少？

三极管可分为锗三极管和硅三极管。锗三极管的基极最大电压为0.25V左右。硅三极管的基极最大电压为0.55V左右。

八、三极管最大的反向电压叫什么？

1) V(BR)CBO

e极开路，c-b结的反向击穿电压。此时流经c-b极的是ICBO。当反向电压VCB增至一定程度时，ICBO急剧增大，最后导致击穿。

(2) V(BR)CEO--b极开c-e极之间的反向击穿电压。

此时流经c-e极的是ICEO。当反向电压VCE增加到ICEO开始上升时的VCE就是V(BR)CEO。应该注意，在此情况下，当集电结开始击穿时，IC增大，同时发射结分到的正向电压增大，使e区注入b区的电子增多，IE增大。IE的增大又将使IC进一步增大。所以，这里有一个培增效应，而最后使c-e极之间击穿电压V(BR)CEO要比V(BR)CBO小

即V(BR)CEO<V(BR)CBO。

(3) V(BR)CER和V(BR)CES--b-e极之间接电阻(R) 和短路(S) 时的V(BR)CE。

在b-e极之间接电阻R后，发射结被分流。当集电结反向电流ICBO流过b极时，由于分流而使流过发射结的电流减少。所以，在上面(2) 中所说的倍增效应减小，为了进入击穿状态，必须加大VCE。也就是说，V(BR)CER> V(BR)CEO。电阻R愈小，它对发射结的分流作用愈大，所以进入击穿状态时,所需的VCE愈大。当R= 0并略去基区的体电阻rbb'则发射结相当于短路。此肘V(BR)CBO近似等于V(BR)CES。

九、晶体三极管哪极电压降最大？

自然是集电极和发射极之间的端电压最大了，也就是输出端，因为放大时主要靠它的偏置电压来提供动能的。

锗材料的三极管工作时各结压降较低为0.1伏，硅材料的的三极管工作时各结压降较高为0.3伏。晶体管的饱和压降与其导电类型无关，主要是与材料相关。三极管的饱和导通时集电极电流已不再随基极电流增大而变化。集电极电流基本上取决于负载电阻的大小。根据三极管的饱和深度不同，管压降也不是一个定值。

十、三极管反向击穿电压最大的是？

首先三极管工作时其发射结一般处于正偏状态，故BVebo反向击穿电压要求不高，通常BVebo<20V，是最低的。

其次，反向击穿主要是漏电流引起的。集电极-基极漏电流Icbo经过β倍放大后成为集电极-发射极漏电流Iceo，故Iceo=βIcbo，而BVceo就小于BVcbo。