一个导体的电压是定值吗？

一、一个导体的电压是定值吗？

一般的电路分析中，不考虑温度的影响，因为温度对电阻的影响是非线性的，

在没有特殊说明的情况下是定值，即导体的电阻；一般不考虑，因为短时间温度变化不大。

要，导体的电阻跟材料，长度，横截面积，温度，这些因素有关。

同一个导体，即电阻一定（不变）。根据欧姆定律R=U/I，R不变，所以电压与电流成正比，U和 I 同时变大。其比是一个定值。

不同的话表现的是同一个意思，即：R=U/I，倒过来说是：I=U/R，我觉的这两句话说的是这两个公式！

基本没有区别，都是说这个导体的阻值恒定。第一句是电流随电压的增大而增大，第二句是它的阻值恒定……

电流与电压成正比，因为电流大小由电压决定，而不是电流决定电

对于同一导体而言，电压与电流成正比对吗

对于一个导体，它的电阻值是确定的。 根据欧姆定律： V（电压） = I （电流）x R（电阻）

电流与电压成正比是不是因果关系那为什么

欧姆定律电流和电压成正比是对同一段导体来说的，电阻不变电流和导体两端的电压成正比。不是因果关系。

电流与电压成正比，可以说成电压与电流成正比吗

欧姆定律的内容实际是两个部分的内容:\r\n(1)电阻一定时，导体中的电流跟导体

为什么物理中有些比值可以颠倒，比如我看答案上是分析123，同一导体电压与电流成正比或者电压与电流比值

如果你硬要说的话就是电流与电压成正比是标准的，因为电压的大小决定

二、导体切割磁感线时候，导体棒两端电压指的是什么，是路段电压还是内电压？

我的理解是：

1，导体切割磁力线，电子受洛伦兹力，形成电势差。如果导体能和磁场外的导线形成回路，就可以有电流，如果只是一根导体棒，就只是形成了电势差（类似于一个电池）。

2，磁通变化的情况，既然是说到了磁通，指的就是一个闭合的区域内的磁通量，这才有意义。只是一根导体棒放在磁场里是没法说磁通在哪里的。因此，磁通变化一定是会在闭合的金属导体中形成电流。在上面的1中说到的磁场中的导体切割了磁力线，如果连接了外部导线，实际上也是形成了闭合的区域，导体切割磁力线时候，闭合区域里面的磁通是变化的。

3，再说闭合导体框切割磁力线情况。一个闭合导体框在磁场中移动，切割了磁力线，但是框中的磁通没变化，这时候会形成电势差，但是没有电流，因为垂直于切割方向的导体形成的电势差相等，类似于两节电池并联。理解不对的地方请指正。

三、半导体二极管为什么会有死区电压?

半导体二极管为什么会有死区电压?

半导体二极管是一种常见的电子元件，用于控制电流流动。然而，半导体二极管在工作过程中存在一个特殊的现象，即死区电压。那么，为什么半导体二极管会有死区电压呢？本文将对这个问题进行详细的解释。

什么是半导体二极管？

在深入探讨死区电压之前，让我们先了解一下半导体二极管的基本原理。半导体二极管是由两种不同类型的半导体材料构成的。一侧是n型半导体，其中电子是多数载流子；另一侧是p型半导体，其中空穴是多数载流子。

当将正向电压施加到半导体二极管上时，n型半导体侧的电子会被推入p型半导体侧，形成电子-空穴对。这样，形成了一个电势垒，阻止了电流的进一步流动。这种状态被称为“正向偏置”，半导体二极管处于导通状态。

相反，当将反向电压施加到半导体二极管上时，电子和空穴被吸引到相应的半导体侧，导致电势垒增大。在特定电压下，电势垒变得足够高，电流无法流过，形成了一个阻止电流流动的状态。这种状态被称为“反向偏置”，半导体二极管处于截止状态。

死区电压的原因

半导体二极管的死区电压是指在从截止状态转变为导通状态时，需要施加的最小正向电压。死区电压的产生与半导体材料的特性以及二极管的结构有关。

半导体材料的特性之一是带隙能量，它是指价带和导带之间的能量差。在半导体二极管中，带隙能量决定了电子和空穴在正向和反向偏置下的流动情况。

当施加正向电压时，电子从n型半导体流向p型半导体，空穴从p型半导体流向n型半导体。但是，在电子从n型半导体进入p型半导体的过程中，需要克服带隙能量的阻碍。因此，在正向偏置下，需要一定的电压才能克服带隙能量，使电子能够进入p型半导体侧。

这就是半导体二极管死区电压产生的原因。在达到死区电压之前，半导体二极管处于截止状态，无法导通。只有当施加的正向电压超过死区电压时，半导体二极管才能从截止状态转变为导通状态。

如何减小死区电压？

降低半导体二极管的死区电压对于提高电子设备的性能和效率非常重要。以下是一些减小死区电压的方法：

• 使用特殊的半导体材料：选择具有较小带隙能量的半导体材料可以减少半导体二极管的死区电压。
• 改变半导体二极管的结构：通过优化二极管的结构，如改变掺杂浓度、掺杂类型和厚度等，可以降低死区电压。
• 使用外部电路：通过添加外部电路，如电压放大器或级联二极管，可以实现更高的放大倍数或更小的死区电压。

总之，半导体二极管的死区电压是由带隙能量和结构等因素决定的。了解和减小死区电压对于设计和应用半导体二极管具有重要意义。

四、p型半导体开启电压是多大？

开启电压是刚开使导通时的正向电压（电流很小），正向导通电压是额定工作电流时的正向电压。开启电压低于正向导通电压。

二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二极管；它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。

五、导体的电阻与电压成正比？

这句话不能这么说。电阻是导线的固有性质，只和导体的长度，形状，材料和温度有关，不会随着电流和电压的变化而变化。所以，不能说导体的电阻与电压成正比，与电流成反比。电阻器在日常生活中一般直接称为电阻。是一个限流元件，将电阻接在电路中后，电阻器的阻值是固定的一般是两个引脚，它可限制通过它所连支路的电流大小。阻值不能改变的称为固定电阻器。阻值可变的称为电位器或可变电阻器。理想的电阻器是线性的，即通过电阻器的瞬时电流与外加瞬时电压成正比。用于分压的可变电阻器。在裸露的电阻体上，紧压着一至两个可移金属触点。触点位置确定电阻体任一端与触点间的阻值。端电压与电流有确定函数关系，体现电能转化为其他形式能力的二端器件，用字母R来表示，单位为欧姆Ω。实际器件如灯泡，电热丝，电阻器等均可表示为电阻器元件。电阻元件的电阻值大小一般与温度，材料，长度，还有横截面积有关，衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数，其定义为温度每升高1℃时电阻值发生变化的百分数。电阻的主要物理特征是变电能为热能，也可说它是一个耗能元件，电流经过它就产生内能。电阻在电路中通常起分压、分流的作用。对信号来说，交流与直流信号都可以通过电阻。

六、探讨半导体二极管的电压特性

七、切割磁感线运动的导体，导体两端电压为何为路端电压？

1、因为只有那段线路才有切割磁力线，才有产生感应电动势呀。

2、根据楞次定律，外电路磁场变化稳定后（不变时）自感为0，过程是逐步减小的，故电路反电动势逐步减小，总电流肯定逐渐增大呀。

3、对于电源而言，如原电池就是如此。到了寿命后期，如果去充电，电压很快上升，但作为负载电源时，由于其内阻增大输出的端电压自然在下降。U=ε-Ir。r增大后，U必然减少。

八、为什么电压越高半导体速度越快？

一般饱和电流是指半导体器件而言，因为半导体阻值过了线性区就是非线性的，也就是说当电压进入饱和区，没达到击穿电压时。

电压越大，半导体的阻值也越大（比如三极管饱和时集电极和发射极），这时流过半导体的电流基本上就不随电压变化而变化了，也就是相对而言电流达到最大值，因此有饱和电流一称。

九、请问电缆导体中，什么是非紧压圆形导体，什么是紧压圆形导体，什么是成型导体？

1、非紧压圆形导体属于正规绞合导体，绞合时，导体是不经过压轮或紧压模具将导体紧压，绞合导体的单线间是有自然间隙的，导体是圆形的，最为常见的一种，比如经常见到的电线的绞合导体和钢芯铝绞线等就属于非紧压导体。

2、紧压圆形导体是在非紧压圆形导体基础上，在绞合时，导体是经过圆形压轮或圆形紧压模具将导体紧压，减小绞合导体的单线间的间隙，导体仍然是圆形的，导体的截面积不变，但是导体外径变小了，可以减少电缆绝缘和护套等材料的用量和减小电缆成品的外径。紧压圆形导体一般用于低压、中压和高压电力电缆和架空绝缘电缆。

3、成型导体就是将电缆的导体在在绞合时，导体是经过扇形或瓦形压轮将导体紧压扇形、瓦形和半圆形导体，导体成一定形状所以就叫成型导体。紧压同样可以减小绞合导体的单线间的间隙，预制成型的电缆绝缘线芯在成缆后的组合紧密，免去了填充材料，绕包、内衬、铠装和外护套等材料用量均可减少，有效减小电缆的外径。成型导体主要用于低压电力电缆。

十、P型半导体是（什么导体？

P型半导体，也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。

1特点

半导体中有两种载流子：导带中的电子和价带中的空穴。 如果某一类型半导体的导电性主要依靠价带中的空穴，则该类型的半导体就称为P型半导体。 “P”表示正电的意思，取自英文Positive的第一个字母。在这类半导体中，参与导电的 (即电荷载体) 主要是带正电的空穴，这些空穴来自半导体中的受主。因此凡掺有受主杂质或受主

数量多于施主的半导体都是p型半导体。例如，含有适量三价元素硼、铟、镓等的锗或硅等半导体就是P型半导体。[

由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。

2形成原理

要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。对于Ⅳ族元素，半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂;对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如砷化镓)，常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度;在离子晶体型氧化物半导体中，化学配比的微量偏移可造成大量电载荷流子，氧量偏多时形成的缺陷可提供空穴，Cu2O、NiO、VO2等均是该类型的P型半导体，且当它们在氧压中加热后，空穴浓度将随之增加.上述能给半导体提供空穴的掺杂原子或缺陷，均称受主。