mos管gs电压最大能为多少？

一、mos管gs电压最大能为多少？

IRF540N的导通起控电压为2-4V，GS极之间最高电压不能超过20V，质量较好的管子GS加6-8V就已经饱和导通（内阻最小），所以使用时如果有脉动或尖峰电压时，最好在GS两极之间接入一12-15V的快速稳压管。我曾经测试过几十万只这种场效应管，质量最好的是美国IR和HARRIS公司出品的管子，参数的一致性相当地好。

二、mos管gs电压一般是多少？

稳压二极管里面的电压的话应该是在10伏左右，因为这种二极管的所需电压是不太大的。

IRF540N的导通起控电压为2-4V，GS极之间最高电压不能超过20V，质量较好的管子GS加6-8V就已经饱和导通（内阻最小），所以使用时如果有脉动或尖峰电压时，最好在GS两极之间接入一12-15V的快速稳压管。我曾经测试过几十万只这种场效应管，质量最好的是美国IR和HARRIS公司出品的管子，参数的一致性相当地好。

三、mos管最高电压？

MOS管最高电压：大部分MOS管指定了最大栅源极间电压(±20V)。如果超过这个限制,器件就容易被损坏。

当MOS管工作时使用栅极输入电阻,并在一个具有较大供电电压的电路中快速关断,器件内部的米勒电容就会耦合一个电压尖峰到栅极,引起栅极电压超限的问题。

MOS管最高电压：以一个工作于直流线电压为160V(最大可为186V )电路中的正激变换器为例进行分析。当MOS管在最大线电压下关断,它的漏极电压上升到2倍线电压即372V。这个正向电压前沿的一部分耦合回来,由Crss和Ciss分压。

四、mos管的电压范围？

关于这个问题，MOS管的电压范围通常取决于具体的型号和规格，不同的MOS管可能有不同的额定电压范围。一般来说，MOS管的工作电压范围可以从几伏到几百伏不等。有些低压MOS管适用于低电压应用，如3.3V或5V逻辑电平，而高压MOS管可以承受数百伏的电压，用于高压应用。具体的电压范围应在产品规格书或数据手册中查找。

五、如何测MOS管电压？

对地测阻值是红的接地，黑的接测试点。 测电压就的红的接测试点，黑的接地

六、mos管多大电压驱动？

30V以下5v以上。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

七、mos管的基准电压？

MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关,例如几十V的耐压一般为1-2V,200v以内的一般为2-4V,200V以上的一般为3-5V。 MOS管,当器件由耗尽向反型转变时,要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状

、MOS管的电压特性,在MOS管栅源之间的施加电压在多数情况下不能超过20V,在实际应用率MOS管的栅极电压一般被控制在10V左右

八、mos管电压怎么选？

当vGS数值较小，吸收电子的才能不强时，漏——源极之间仍无导电沟道呈现，vGS增加时，吸收到P衬底外表层的电子就增加，当vGS到达某一数值 时，这些电子在栅极左近的P衬底外表便构成一个N型薄层，且与两个N+区相连通，在漏——源极间构成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反，构成反型层。

vGS越大，作用于半导体外表的电场就越强，吸收到P衬底外表的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。

即N沟道MOS管在vGS＜VT时，不能构成导电沟道，管子处于截止状态。

只要当vGS≥VT时，才有沟道构成。沟道构成以后，在漏——源极间加上正向电压vDS，就有漏极电流产生。

但是Vgs继续加大，比方IRFPS40N60K

Vgs=100V时

Vgs增大会减小Rds（on）减小开关损耗，但是同时会增大Qg，使得开启损耗变大，影响效率

九、mos管反向电压会烧掉mos吗？

不会，mos管有反向寄生二极管，加反向电压会直接导通

十、mos管的门限电压？

MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。

MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一 。MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。