硅的死区电压和导通电压分别是多少V？

一、硅的死区电压和导通电压分别是多少V？

硅的死区电压是0.5V，导通电压分别是0.6V，死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。在二极管正负极间加电压，当电压大于一定的范围时二极管开始导通，这个电压叫开启电压。锗管0.1左右，硅管0.5左右。

死区电压是指在二极管应用在具体的电路中时，由于本身的压降，也就是供电电压小于一定的范围时不导通，造成输出波形有残缺，从供电电压经过零点直到输出波形残缺消失的时候，这一段电压就是死区电压，本质上就是二极管的开启电压。

二、二极管死区电压与导通电压？

二极管的导通是一个过程。正向偏置的情况下，死区电压就是从0到开启电压之间的这段，这段虽然是正向偏置，但却不导通，基本上没有电流。

开启电压是一个节点，从这个电压开始，二极管内部开始出现电流。如果此时随着电流增加，两端电压会继续增大，到一定程度后，随着电流增加，两端电压的增幅就不大了，这时候处于比较彻底的正向导通状态，此时的正向电压就是导通电压。

三、常用的两种二极管的死区电压分别是多少?

在电子学中，二极管是一种常见的电子元件。它有许多不同的类型，包括常用的两种二极管：PN结二极管和肖特基二极管。这两种二极管在电路中起着重要的作用，但它们之间有一些关键的区别。

PN结二极管

PN结二极管是最常见的二极管类型之一。它由具有不同材料的两个区域组成，即P型半导体和N型半导体。这种二极管的死区电压是根据其材料和结构来确定的。

对于硅基PN结二极管而言，其死区电压约为0: 6伏特。这意味着在正向偏置下，当电压低于0: 6伏特时，二极管处于关断状态，不允许电流通过。而在反向偏置下，当电压高于0: 6伏特时，二极管处于击穿状态，允许电流通过。

对于锗基PN结二极管而言，其死区电压约为0: 2伏特。与硅基PN结二极管相比，锗基PN结二极管的死区电压较低。这意味着在正向偏置和反向偏置下，锗基PN结二极管的电流通过能力较强。

肖特基二极管

肖特基二极管是另一种常见的二极管类型。它由金属与半导体之间形成的肖特基接触构成。与PN结二极管不同，肖特基二极管的死区电压取决于肖特基接触的材料。

对于硅基肖特基二极管而言，其死区电压约为0: 3伏特。这意味着在正向偏置下，当电压低于0: 3伏特时，二极管处于关断状态。而在反向偏置下，当电压高于0: 3伏特时，二极管处于击穿状态。

总的来说，这两种二极管都有其特定的应用场景和优势。电子工程师在设计电路时需要根据具体的需求选择适当的二极管类型，并考虑其死区电压。

四、锗二极管的开启电压和导通电压分别为多少？

一般大略估算是按照锗管0.12~0.2V，硅管0.5~0.7V。但是实际二极管并不理想，不是按照某一个电压分解导通与否，而是一个随着电压增加逐渐导通的指数曲线。下面是1N4007硅二极管实际电压和正向电流关系，差不多电流每增加10倍，电压增加0.1V：；uA量级——0.4V；mA量级——0.7V；A量级——1V以上。

五、硅管和锗管的最大死区电压分别是多少？

硅管和锗管是两种不同的半导体材料，当前广泛使用的是硅材料制成的半导体元件。当前几乎所有的半导体元件与集成芯片都采用硅材料制造。硅管的最大死区电压要比锗管高得多，硅管的最大死区电压约为0.5伏，而锗管的最大死区电压约为0.1伏左右，高于死区电压则管子进入放大区状态。

六、二极管的正向特性分为＿？硅管的死区近似为＿，导通电压近似为＿，锗管的死区电压近似为＿，导通电压近似？

二极管的正向特性分为＿导通和截止。

硅管的死区近似为＿0.5V，导通电压近似为＿0.7V，锗管的死区电压近似为＿0.2V，导通电压近似为＿0.3V

七、二极管的开启电压和导通电压？

一、开启电压是小于该电压时二极管是不导通的（电流可以忽略）；导通电压是指二极管已经导通了的正向压降。

二、伏安特性曲线

1、开启电压以下的部分相当于二极管伏安特性曲线中与X轴接近平行的部分。

2、开启电压的取值一般取曲线中斜率变化最大的一段（也就是由与X轴接近平行到快速向上弯曲的那一小部分）。

3、完全导通后的电压也就是一般平时所说的导通后正常工作的二极管的压降，此电压取稍大于开启电压的一个值，此值的选择可以保证在二极管一般正常工作状态下，其压降都是在此电压左右一个极小的范围内。

八、二极管的导通电压和击穿电压？

二极管的导通电压是二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。

正向特性：在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。

二极管反向击穿电压一般是工作电压2-3倍。二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压VBWM一般是VBR的一半。

稳压管就是利用这一特性！

二极管的导通电压是二极管正向导通的时候，在二极管两端测得的电压，该电压几乎不随正向电流的变化而变化，表现出一定的稳压特性，硅管0.7v左右，锗管0.3v左右。击穿电压是二极管因反向电压过高造成二极管突然产生较大反向电流时电压，也具有稳压特性。

九、一般硅、锗二极管的死区电压为多少?导通电压后又是多少？

一般大略估算是按照锗管0.12~0.2V，硅管0.5~0.7V。但是实际二极管并不理想，不是按照某一个电压分解导通与否，而是一个随着电压增加逐渐导通的指数曲线。下面是1N4007硅二极管实际电压和正向电流关系，差不多电流每增加10倍，电压增加0.1V： uA量级——0.4V； mA量级——0.7V； A量级——1V以上。

十、一般硅、锗二极管的死区电压为多少？导通电压后又是多少？

一般大略估算是按照锗管0.12~0.2V，硅管0.5~0.7V。

但是实际二极管并不理想，不是按照某一个电压分解导通与否，而是一个随着电压增加逐渐导通的指数曲线。下面是1N4007硅二极管实际电压和正向电流关系，差不多电流每增加10倍，电压增加0.1V： uA量级——0.4V； mA量级——0.7V； A量级——1V以上。