硅二极管正向导通压降是多少？

一、硅二极管正向导通压降是多少？

答硅二极管的正向导通压降压大约为0.6V~0.8V,。二极管的导通电压是二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7v,锗管为0.3v)。 正向特性:在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,

二、硅二极管的正向导通压是多少？硅二极管的正向？

普通硅二极管的正向压降典型值一般认为是0.7V。二极管的正向压降并不是稳定的，它受温度和电流的影响，一般情况下温度越高压降越低，电流越大压降越高；大电流整流时，二极管的正向压降甚至可以达到1V；而通过微安级小电流时，压降可能不足0.5V。

三、二极管正向导通硅和啫的工作电压典型值是多少？

硅二极管正向导通工作压降=0.6~0.8v，反向击穿电压根据型号不同有很大差别，如1N4001=50V、1N4002=100V、1N4003=200 V1N4004 =4001N4005= 6001N4006=800v1N4007=1000v；锗二极管正向导通工作压降=0.2~0.4v，反向击穿电压很小，一般为40V左右。

四、二极管正向导通阈值电压怎么求？

没法求，用万用表电流表测量就好了，找一个可调电源，把电压调到0伏二极管跟电流表串连，慢慢调高电压，电流表电流明显增大时，此时要用表测得的就是它的阀值电压，为了保险可以串联一个大功率电阻

五、2． 硅二极管的死区电压约为，伏，正向导通压降约为，伏？

正向导通压降是在管子正向导通的时候，二极管两端的电压，也就是它引起的压降；死区电压是它的门坎电压，也就是说，在这个电压以下时，即使是正向的，它也不导通。

六、硅二极管的正向导通压降约为多少V？

一般约0.7V左右，但肖特基二极管要小些，这与负载大小有关，一般0.45v到0.6V左右。

七、稳压管二极管正向导通是否和普通二极管的正向导通一样的？

是的，楼主， 稳压二极管的工作原理：两个二极管的反向并联，一个普通的二极管并联一个反向的特殊的二极管，不过那个特殊的二极管是经过特殊的工艺，当他通电流时能是的在一定范围的电流的范围内，保持电压的不变...当稳压管二极管正向导通是否和普通二极管的正向导通一样的（就是那个普通二极管工作）

楼主，若还有什么问题再联系吧...

八、二极管什么时候达到正偏正向导通是啥意思？

当二极管允许电流通过时,称为正偏。 在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。

在二极管的电极两端加一定大小的电压，其中p区接正极，n区接负极，使二极管正向导通，叫做二极管的正向偏置。反之，则叫做反向偏置。

当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流

当外加的反向电压高到一定程度时，PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。

扩展资料：

在PN结外加正向电压V，在这个外加电场的作用下，PN结的平衡状态被打破，P区中的空穴和N区的电子都往PN结方向移动，空穴和PN结P区的负离子中和，电子和PN结N区的正离子中和，这样就使PN结变窄。

随着外加电场的增加，扩散运动进一步增强，漂移运动减弱。当外加电压超过门槛电压，PN结相当于一个阻值很小的电阻，也就是PN结导通。

九、二极管正偏导通，是指阳极电压大于阴极电压就能导通吗？

是的，二极管正向电压必须超过它的导通电压或者叫做开启电压，它才能够导通。

错二极管以及肖特基二极管一般是0.2伏~0.3伏，普通硅二极管则是0.6伏左右。

十、用示波器测硅二极管正向导通电压只有0.2，请问原因？

要看你给定的正向导通电流是多大，这是可以发生的。

严格的说，二极管特性曲线是一个指数函数，任何电压下都可以有电流的，只不过是大小不同而已。想要测量正向导通电压，必须指定测量“电流条件”，只有电流在mA级的时候，硅管的导通电压才是0.7V左右。