什么是晶闸管的导通角？

一、什么是晶闸管的导通角？

可控硅阳极和阴极正偏置一个区间或叫一个周期内，触发后至正偏置为零的区间的时间或叫宽度为导通角（以电阻性负载为例）。

以正弦交流电为例：正偏置180°，如触发角30°，导通角180-30=150°。

特例的是如果负载是较大的电感，就有短时续流的延续时间，另有导通区间的增加但一般另计的。

二、晶闸管导通时正向电压和反向电压？

每个晶闸管承受的反向电压是线电压(课本有u vt的波形图)因给出的一般是变压器二次侧相电压U2,故先转换成线电压 即√3U2,再转换成线电压峰值 即√2×√3U2。

在三相桥电阻负载时,由于电流断续,晶闸管会关断,这时最大正向电压为根号二的相电压,最大反向电压为根号6的相电压,在阻感负载时,电流一定连续,所以最大正反向电压都是根号6相电压。

三、晶闸管导通角与延迟时间？

晶闸管导通角的控制 与延迟时间，可以利用 51 单片机的中断检测交流电的过零信号,然后延迟一定的时间(50Hz 的半个 波为10ms,

晶闸管承受电源电压正半周某一时刻，假设在电角度a时刻，给管子加上触发脉冲Ug，这时晶闸管立刻从阻断转为导通，此导通一直维持到电源电压过零变负那一时刻，晶闸管自动关断，下一个周期重复前面的过程。从电源U2过零变正到管子被触发导通这段时间折合成电角度a。称为延迟角(曾称控制角)。把晶闸管导通持续的时间折合成的电角度θ，称为导通角，并且：θ=π-α。

四、二极管电压导通角

α = 2 × arcsin(√(2V_d/V_a) - 1)

其中，α表示二极管电压导通角，V_d表示二极管的压降，V_a表示电路中的交流电压峰值。

影响二极管电压导通角的因素

二极管电压导通角的大小受到以下因素的影响：

二极管材料

二极管的材料会影响它的导通性能，不同材料的二极管导通角也会有所不同。

二极管尺寸

二极管的尺寸也会影响它的导通性能，尺寸越大，导通角度也会相应变大。

温度

二极管的工作温度会影响它的导通性能，温度越高，导通角度越小。

总结

二极管电压导通角是二极管在正向偏置下开始导通的电压角度，可以通过计算公式来计算。影响二极管电压导通角的因素有二极管材料、尺寸和温度等。在实际电路设计中，需要考虑这些因素的影响，以保证电路的正常工作。

五、晶闸管导通时负载上的电压等于什么？

1、晶闸管导通后负载上的电压等于加在上面的电源电压！　　

2、晶闸管的导通条件：　　当门极电流为0时仍存在一个转折电压，AK极两端电压只要超过这个值就可以导通。导通后只要电流和温度不超过额定值，晶闸管是不会损坏的。如果AK极两端电压没有超过这个值，则需由门极触发才可导通。　　晶闸管导通后流过的电流由负载电路的大小确定。负载电压指的是晶闸管关断时两端的耐压。

六、二极管导通角变小导通时间？

在未加滤波电容之前，整流电路中的二极管导通角θ为π。加滤波电容后，只有当电容充电时，二极管才导通，因此，每只二极管的导通角均小于π。

因为电容有储能作用，电容两端电压不会突变,二极管负极电压变高了，二极管的导通时间相对来讲变小了！

七、mos管导通的漏极电压？

漏极电压与源极电压相同

普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。

场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

八、mos管导通后各极电压？

导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

MOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当然，不论NMOS还是PMOS，当未形成反型沟道时，都处于截止区，其电压条件是：

VGS

|VGS|>|VTP (PMOS)|

值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。

九、三极管的导通角？

甲类功放电路，三极管的导通角是360度；乙类是180度；甲乙类介于甲类和乙类中间，导通角大于180度而小于360度；丙类功放是小于180度。 三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

十、pnp各极电压关系与截止和导通？

以PNP三极管发射极为基准0ⅴ，Ⅴc<Vb<Ve，当Vb<-0.7v时，三极管导通，Ⅴb>-o.7v时三极管截止。