pn结加反偏电压是什么意思？

一、pn结加反偏电压是什么意思？

正偏和反偏是针对PN结而言的，所谓正偏也就是指外加电压的正极加在P区，负极在N区。反偏就相反。对于三极管，它的状态与两个结的正反偏有关系，比如发射结正偏，集电结反偏，三极管就可以处于放大状态

二、pn结的正偏和反偏状态？

1、PN结正偏的含意：

（1）、当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。

（2）、在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。

2、PN结正偏的含意：

（1）、与正向偏置相比，交换电源的正、负极位置，即P区接电源负极，N区接电源正极，就构成了PN结的反向偏置。

3、简单来说：二极管有N，P两个极。

4、将电源正极与二极管P极相连就是正相偏置，二极管处于导通状态；反之正极接N极就是反向偏置。

扩展资料：

PN结反向偏置时，外加电场与空间电荷区的内电场方向一致，同样会导致扩散与漂移运动平衡状态的破坏。外加电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子移走，使空间电荷区变宽，内电场增强，造成多数载流子扩散运动难于进行，同时加强了少数载流子的漂移运动，形成由N区流向P区的反向电流。但由于常温下少数载流子恒定且数量不多，故反向电流极小。电流小说明PN结的反向电阻很高，通常可以认为反向偏置的PN结不导电，基本上处于截止状态，这种情况在电子技术中称为PN结的反向阻断。

当外加的反向电压在一定范围内变化时，反向电流几乎不随外加电压的变化而变化。这是因为反向电流是由少子漂移形成的，在热激发下，少子数量增多，PN结反向电流增大。换句话说，只要温度不发生变化，少数载流子的浓度就不变，即使反向电压在允许的范围内增加再多，也无法使少子的数量增加，反向电流趋于恒定，因此反向电流又称为反向饱和电流。值得注意的是，反向电流是造成电路噪声的主要原因之一，因此，在设计电路时，必须考虑温度补偿问题。

三、pn结正偏和反偏结电阻为多少？

PN结正向偏置时的电阻R=U/I。式中U为PN结上的正向电压，I为流过PN结的电流。当PN结反向偏置时的电阻R=U/I。式中U为PN结上的反向电压，I为流过PN结的反向电流。

四、pn结反向电压？

应该是pn结反向裁止

PN结一边是P区，一边是N区，只有P区电位高于N区电位，它才会通，而且有P到N导通，反过来，N电位高于P区，不会导通，称为反向截止。

在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的 。

N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。

因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区 。

P 型半导体一边的空间电荷是负离子 ，N 型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散 ，达到平衡。

当PN结外加反向电压时，内外电场的方向相同，在外电场的作用下,载流子背离PN结运动，结果使空间电荷区变宽,,耗尽层会（变宽）变大。PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层将变窄。

五、pn结击穿电压？

对pn结施加的反向偏压增大到某一数值VBR时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为pn结击穿。发生击穿时的反向电压称为pn结的击穿电压。

击穿电压与半导体材料的性质、杂质浓度及工艺过程等因素有关。pn结的击穿从机理上可分为雪崩击穿、隧道击穿和热电击穿三类。前两者一般不是破坏性的，如果立即降低反向电压，pn结的性能可以恢复；如果不立即降低电压，pn结就遭到破坏。pn结上施加反向电压时，如没有良好散热条件，将使结的温度上升，反向电流进一步增大，如此反复循环，最后使pn结发生击穿。由于热不稳定性引起的击穿，称为热电击穿，此类击穿是永久破坏性的

六、pn结死区电压？

死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。死区电压，指的是即使加正向电压，也必须达到一定大小才开始导通，这个阈值叫死区电压，硅管约0.5V，锗管约0.1V。（硅和锗是制造晶体管最常用的两种半导体材料，硅管较多，锗管较少）。

在二极管正负极间加电压，当电压大于一定的范围时二极管开始导通，这个电压叫开启电压。锗管0.1左右，硅管0.5左右。死区电压是指在二极管应用在具体的电路中时，由于本身的压降，也就是供电电压小于一定的范围时不导通，造成输出波形有残缺，从供电电压经过零点直到输出波形残缺消失的时候，这一段电压就是死区电压，本质上就是二极管的开启电压。

七、pn结电压温度系数？

温度升高时，pn结的正向电流增大、正向压降降低，即正向电流具有正的温度系数，正向压降具有负的温度系数；这主要是由于pn结的势垒高度降低所造成的结果。并且反向电流随着温度的升高也增大，这主要是由于两边少数载流子浓度增大的结果。

击穿电压的温度特性：温度升高后，晶格振动加剧，致使载流子运动的平 均自由路程缩短，碰撞前动能减小，必须加大反向电压才能发生雪崩击穿具有正的温度系数，但温度升高，共价键中的价电子能量状态高，从而齐纳击穿电压随温度升高而降低，具有负的温度系数。

八、pn结的开启电压？

开启电压(VF)与击穿电压(VBR)的定义

业界是通过加电流测试电压的方法来定义VF与VBR

具体方法如下

1),测试VF

对PN结正向加一测试电流,测试PN结两端的电压,测试得到的电压值即为VF

2),测试VBR

对PN结反向加一测试电流,测试PN结两端的电压,测试得到的电压值即为VBR

正向 反向

IT 1mA 1mA~10mA

见于反向击穿电压与漏电关系的变化,当VBR较小是,ID很大,IT较大,所以IT也是变化的

九、pn结正向电压接法？

二极管的正向接法就是，正电位接二极管的正极，负电位接二极管的负极。即电路原理上，让二极管的正极处于高电位，负极处于低电位的接法，就是二极管的正向接法。

二极管存在着正向最大电流的限制；存在着反向电压的最大值限制；现在的二极管基本都出现在整流电路当中和集成线路当中。

扩展资料：

导电特性

二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。

1、正向特性

在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门坎电压”，又称“死区电压”，锗管约为0.1V，硅管约为0.5V）以后，二极管才能真正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。

2、反向特性

在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。

工作原理

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。

当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。

十、pnpC结正偏还是反偏？

1、PN结正偏的含意： （1）、当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。  （2）、在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。 2、PN结正偏的含意： （1）、与正向偏置相比，交换电源的正、负极位置，即P区接电源负极，N区接电源正极，就构成了PN结的反向偏置。 3、简单来说：二极管有N，P两个极。 4、将电源正极与二极管P极相连就是正相偏置，二极管处于导通状态；反之正极接N极就是反向偏置。