硅晶体管和锗晶体管工作处于放大状态时,其发射结电压Ube分别为多少？

一、硅晶体管和锗晶体管工作处于放大状态时,其发射结电压Ube分别为多少？

硅晶管大，是Ube=0.7V，锗管小Ube=0.3V。

二、可控硅与晶体管的区别？

1、概念不一样：

可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。

2、用处不一样：

可控硅

（1）小功率塑封双向可控硅通常用作声光控灯光系统。

（2）大；中功率塑封和铁封可控硅通常用作功率型可控调压电路。像可调压输出直流电源等等。

（3）大功率高频可控硅通常用作工业中；高频熔炼炉等。

三极管，晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。

3、分类不一样：

可控硅：按关断、导通及控制方式分类；按引脚和极性分类；按封装形式分类；按电流容量分类；按关断速度分类；非过零触发分类。

三极管：按材质分；按结构分；按功能分；按功率分；按工作频率分；按结构工艺分；按安装方式。

三极管必须用在直流供电的电路中，这是它的特性决定的。

可控硅可以工作在直流电路中，也可以工作在在交流电路中。不过当它用在直流

三、芯片上的晶体管和普通晶体管的区别？

区别如下。

芯片是由很多的晶体管及其他电子元件集成在一个硅片上的大规模集成电路。

晶体管是由半导体材料制成的管子如三极管二极管等(在我们日常接触的物质中，一类电阻率很低，容易导电的金属，属地如金，银，铜，铁，铝，等，这类物质叫做导体，另一类电阻率很高，如：玻璃，璃窗，木，这类物质叫做绝源体，但是在自然界里还有一种物质在这二种情况之间的，我们把它叫做半导体，目前制造半导体的材料主要有：锗，硅，硒等等)

四、晶体管中的锗管和硅管有什么不同？

你好:--★1、由于采用的半导体材料不同，锗管和硅管两者的主要区别是:锗管的漏电流远远大于硅管，且随着温度的增加，漏电流也会剧烈的上升。也就是说锗管的“热稳定性”非常差。这就是锗管基本被淘汰的最主要的原因。--★2、你可以做一个实验:①、锗管C通过2k电阻接6V负极，e极接正极，基极B悬空。测量其漏电流;②、硅管C通过2k电阻接6V正极，e极接负极，基极B悬空。测量其漏电流。

③、得出的结果可以证明，两者的稳定性是有多么大的差别!--★3、晶体管收音机用硅管还是有很大的优点的，特别是稳定性非常好。但事情都有“两面性”，锗管在采用无输出变压器(OTL)的功放极，效率还是较高的。

你可以采用混合式设计，高频、中频、前置低放用硅管，功放用锗管的方案。

五、非晶硅薄膜晶体管的优劣？

非晶硅薄膜晶体管（a-Si：H TFT--amorphous silicon thin film transistor）沟道采用非晶硅材料制成。由于非晶硅可以淀积在各种大面积的衬底上，所以生产成本低廉，得到了广泛的应用。

非晶硅薄膜晶体管在结构和工作原理上和一般的MOSFET相似。具有MOS结构，并且也是场效应晶体管。栅极在非晶硅中感应沟道，并在源漏偏压下导电

六、晶体管有没有放大电压的作用？

晶体管本身是电流放大元件，但在电路中电流的变化都可以通过电压表现出来，或者可以用电压控制电流（输入），用电流控制电压（输出）。所以准确的说应该是一些晶体管【电路】有放大电压的作用。（不是所有的晶体管电路噢）

七、单结晶体管和可控硅显示原理？

它是由单结晶体管和RC充放电电路组成的。合上电源开关S后，电源UBB经电位器RP向电容器C充电，电容器上的电压UC按指数规律上升。

当UC上升到单结晶体管的峰点电压UP时，单结晶体管突然导通，基区电阻RB1急剧减小，电容器C通过PN结向电阻R1迅速放电，使R1两端电压Ug发生一个正跳变

八、怎么测晶体管的导通的电压？

测量晶体管的导通电压需要进行以下步骤：1. 使用多用表或示波器进行电路连通测试，保证电路正常工作。2. 通过将电源正极连接到基极和集电极之间，同时将电源负极连接到发射极，以测量晶体管的导通电压。3. 监测电路中的电压指示器以检测是否有导通，一旦指示器发生明显变化，则可确定晶体管是否导通。如果没有变化，则导通电压未达到测试电压。4. 在持续增加电压值的情况下，用测试电路中的荧光灯或齐纳二极管钳位测试导通电压。因此，一般来说，测量晶体管的导通电压需要进行多次实验，并使用测试电路进行测试，以获得准确的结果。

九、非晶硅薄膜晶体管的优缺点？

非晶硅薄膜晶体管

非晶硅薄膜晶体管（a-Si：H TFT--amorphous silicon thin film transistor）沟道采用非晶硅材料制成。由于非晶硅可以淀积在各种大面积的衬底上，所以生产成本低廉，得到了广泛的应用。

正文

非晶硅薄膜可以通过辉光放电分解硅烷制备。所以实际上这样制作的非晶硅薄膜是非晶硅和氢的合金。（a-Si：H）

非晶硅又称为无定形硅。电子在非晶硅中的运动可以分为两类：1、扩展态：和晶体中电子运动相似，电子可以在整个材料中做公有化运动。2、局域态：电子只能局域在材料的某些点附近的一个小范围内运动。其中局域态又可以区分为带尾局域态和缺陷局域态。带尾局域态：非晶硅中每个硅周围都与4个硅原子作为最近邻形成共价键。缺陷局域态：非晶硅中硅周围不一定是4个硅原子最近邻形成共价键，可能与3个硅原子作为最近邻形成共价键。剩下的一个键成为悬挂键，这个悬挂件既可以释放电子称为带正点的电离施主，也可以捕获电子成为带负点的电离受主。

非晶硅薄膜晶体管在结构和工作原理上和一般的MOSFET相似。具有MOS结构，并且也是场效应晶体管。栅极在非晶硅中感应沟道，并在源漏偏压下导电。

十、晶体管和芯片的区别？

晶体管是包含在芯片内部的关系。

晶体管是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。芯片：集成电路缩写作 IC；或称微电路微芯片、晶片/芯片在电子学中是一种小型化的方式，并时常制造在半导体晶圆表面上。芯片的内部是由无数硅晶体管构成的，是芯片的最小单位。