三极管be饱和电压是什么意思？

一、三极管be饱和电压是什么意思？

1、过于在意“极电结正偏”了。其实，在饱和区，即便是极电结正偏，也还没有达到极电结的正向导通电压。不过，一般人都会被“正偏”误导。

2、饱和的含义：集电极电流是随着基极电流的增大而增大的，当集电极电流增大到一定程度时，再增加基极电流，集电极电流不再随着增加了，这种现象就叫做饱和。而“三极管如工作在饱和状态，那么就是双结正偏”是现象或因果关系，也不算解释。饱和的实质正是由于集电结正偏而使Ic脱离了与Ib的线性关系（请复习三极管构造）。

3、三极管的饱和状态，是包括Ic趋于0的状态的，这一点请自已体会、理解。

4、通过给三极管发射结加上正向导通偏压，同时给集电结加上正偏，三极管一定是在饱和区（一定不在放大区，包含Ic为零的情形）。

二、饱和电压是什么？

饱和电压（Saturation voltage），以硅二极管为例，它的饱和电压就大概在0.7V左右，当二极管两端加上顺向电压时(可以用电源供应器串接一个电阻)，就会产生电流，在二极管的两端就会有电压差，当这个电流由小变大时，电压差也会逐渐变大，但大到接近饱和电压以后，电压差就不再明显的随电流上升而上升，这时，这个电压差就是二极管的饱和电压。

三、三极管的饱和电压计算？

在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。

2.集电极电阻 越大越容易饱和；

3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制问题：基极电流达到多少时三极管饱和？但是这个值应该是不固定的，它和集电极负载、β值有关。

四、igbt饱和电压？

IGBT饱和电压？IGBT是一种复合器件，它是由一只场效应管和双极性晶体管组合起来的大功率器件，既保留了场效应管驱动功率小又保留了双极性晶体管导通压降低的优点，IGBT到同时和一般的双极星大功率晶体管的压降差不多，他的导通压降大约在零点几伏左右。

五、三极管截止状态C-E之间电阻多大？

讨论“三极管截止状态C-E之间电阻多大”没多大意义。

由于三极管存在漏电流，因此，它的截止不是理想的“关”状态，而是呈现很大的电阻。但这个电阻不是线性的，不是一个绝对的数值，没有确定值，它随着三极管的管压降的不同而不同。例：同一管子，漏电流为10微安，管压降为5伏，这时管子的电阻为5伏/10微安=500千欧；但当管压降为20伏时，它的电阻就成了20伏/10微安=2兆。

六、三极管饱和状态下什么极电压最小？

三极管在饱和状态下，集电极与发射极间的电压最小。一般情况下，三极管集电极与发射极之间的电压依三极管的状态不同，在饱和，放大和截止时，这个电压是从最小到最大。三极管饱和时，Vce最小，三极管处于放大状态时，Vce其次，而三极管截止时，Vce最大。

七、三极管饱和状态下输出电压是多少？

三极管一般状态，饱和状态be间电压可认为恒定0.7v。ce之间的电压在一般状态时和饱和状态时，电压压差也应该恒定（只是饱和时和一般状态的具体值不一样，饱和时压差低一些）。

具体的深度饱和电压与具体的型号有关，一般0.3v（功放类的大一些为1点多伏）

八、三极管饱和电流是什么？

当三极管的基极电流增加而集电极电流不随着增加时就是饱和，饱和电流由集电极电阻和发射极电阻决定，饱和电流的大小与三极管无关，一般当ce电压小到0.4V时三极管就饱和了。

启动后是否直接进入饱和状态要看具体电路，放大、饱和区和放大、饱和状态是不同的概念。

基极电流乘放大倍数等于或稍大于集电极电流时是浅度饱和，远大于集电极电流时是深度饱和。在开关电路中深饱和会影响速度。

三极管具有电流放大作用，但必须要有外部电路条件相配合，即外部电路满足“发射极E正向偏置。集电极反向偏置”这一条件。三极管的输出特性渠线可以划分为三个区，即放大区、饱和区、截止区。在饱和区，饱和压降一般很小（小于1伏）

九、三极管饱和条件？

三极管饱和条件：基极电流足够大，且集电极和基极、基极和发射极的的PN结都正偏的情况下。

十、什么是负饱和电压？

饱和电压，对应于最大透光度（90％）处的外加电压。其大小标志了显示器件得到最大对比度的外电压值。其值越小则越易获得良好的显示效果。