pn结导通死区电压原因？

一、pn结导通死区电压原因？

是这样的,所谓死区电压:

由于PN结内部有自建电场,电子和空穴的漂移作用,其内部本身就具有一定的电能,也就是说它的内部本身带有电荷,我们利用它的单向导电性,其实就是给PN结加上外部电压,破坏了它内部自建电场的平衡,当然!这需要达到一定的电压值,至少要高于PN结内部的自建电场。

也由于二极管内部的材料是半导体，它对电压有一定的阻力。

电压过低，则无法破坏PN结内部的自建场，所以不同材料的管子，也就有不同的死区电压。

常用的硅管PN结死区电压为0.7-0.8V，锗管为0.1-0.3V

二、pn结电压大于多少导通？

根据导通程度和型号的不同，NP结正向导通后的电压可以在0.6~1.2V之间变化（硅管），如果你说的是三极管的集电结，那个变化范围就更大了，从饱和状态的0.3V左右到上百V都有。

PN分硅材料和锗材料，硅材料的导通电压约0.7V，锗材料的导通电压约0.3V。三极管中的2个PN结的导通电压基本相同，只是反向耐压不同，发射结的耐压小于集电结的耐压。

三、pn结外加反向电压时处于导通状态？

pn结外加反向电压时，处于截止状态。

pn结外加反向电压是指电源的负极与p端连接，正极与n端连接，这样，外电场与内建电场方向一致，即加强了内建电场，加强了对载流子的漂移作用，更不利于载流子的扩散，因此，pn结内几乎没有电流存在，所以，pn结外加反向电压时，处于截止状态。

四、三极管两个pn结都导通？

PN分硅材料和锗材料，硅材料的导通电压约0.7V，锗材料的导通电压约0.3V。三极管中的2个PN结的导通电压基本相同，只是反向耐压不同，发射结的耐压小于集电结的耐压。

三极管两个PN结，b-e和b-c，一般b-c结的导通电压会大于b-e结的导通电压，原因是两个结的大小和两个结的电阻大小有关。

五、pn结的导通电压等于多少？

0.7V。PN结的导通就是在PN结上外加一电压 ，pn结在正向电压情况下导通,但不是理想的开关,上面会有0.7v左右的电压.

根据导通程度和型号的不同,NP结正向导通后的电压可以在0.6~1.2V之间变化(硅管),如果你说的是三极管的集电结,那个变化范围就更大了,从饱和状态的0.3V左右到上百V都有.

正向电压就是PN结的P侧接电源的正极,N侧接电源的负极; PN结就是P型半导体与N型半导体通过工艺结合一起,结合部就形成PN结,外接正向电压PN结呈低阻导通,外接反向电压PN结呈高阻不通

六、pn结的导通和截止条件？

二极管的导通区是指当二极管的正向电压大于死区电压后，正向电流迅速增长，二极管正向电阻变得很小，二极管正向导通。导通后，正向电压微小的增大会引起正向电流急剧增大，电压与电流的关系近似于线性，这一段称为正向导通区。导通后二极管两端的正向电压称为管压降。一般硅二极管的管压降约为0.7v，锗二极管的管压降约为0.3v。

给二极管加反向电压，当反向电压低于击穿电压时，反向电流很小，相当于二极管不导通即截止，这一段称为反向截止区。

七、pn结导通电压是什么意思？

采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电性。

在PN结上外加一电压，如果P型一边接正极，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界 面运动，使空间电荷区变窄，甚至消失，电流可以顺利通过。此时电压为导通电压。

八、pn结反向电压？

应该是pn结反向裁止

PN结一边是P区，一边是N区，只有P区电位高于N区电位，它才会通，而且有P到N导通，反过来，N电位高于P区，不会导通，称为反向截止。

在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的 。

N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。

因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区 。

P 型半导体一边的空间电荷是负离子 ，N 型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散 ，达到平衡。

当PN结外加反向电压时，内外电场的方向相同，在外电场的作用下,载流子背离PN结运动，结果使空间电荷区变宽,,耗尽层会（变宽）变大。PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层将变窄。

九、pn结击穿电压？

对pn结施加的反向偏压增大到某一数值VBR时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为pn结击穿。发生击穿时的反向电压称为pn结的击穿电压。

击穿电压与半导体材料的性质、杂质浓度及工艺过程等因素有关。pn结的击穿从机理上可分为雪崩击穿、隧道击穿和热电击穿三类。前两者一般不是破坏性的，如果立即降低反向电压，pn结的性能可以恢复；如果不立即降低电压，pn结就遭到破坏。pn结上施加反向电压时，如没有良好散热条件，将使结的温度上升，反向电流进一步增大，如此反复循环，最后使pn结发生击穿。由于热不稳定性引起的击穿，称为热电击穿，此类击穿是永久破坏性的

十、pn结死区电压？

死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。死区电压，指的是即使加正向电压，也必须达到一定大小才开始导通，这个阈值叫死区电压，硅管约0.5V，锗管约0.1V。（硅和锗是制造晶体管最常用的两种半导体材料，硅管较多，锗管较少）。

在二极管正负极间加电压，当电压大于一定的范围时二极管开始导通，这个电压叫开启电压。锗管0.1左右，硅管0.5左右。死区电压是指在二极管应用在具体的电路中时，由于本身的压降，也就是供电电压小于一定的范围时不导通，造成输出波形有残缺，从供电电压经过零点直到输出波形残缺消失的时候，这一段电压就是死区电压，本质上就是二极管的开启电压。