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npn的反向击穿电压为什么比pnp高?

电压 2024-08-12 15:35

一、npn的反向击穿电压为什么比pnp高?

这是晶体管及其电路的属性所决定的。

当反向电压逐渐增大时,反向饱和电流不变。但是当反向电压达到一定值时,PN结将被击穿。在PN结中加反向电压,如果反向电压过大,位于PN结中的载流子会拥有很大的动能,足以和中性粒子碰撞使中性粒子分离出价电子而产生空穴-电子对。这样会导致PN结反向电流的急剧增大,发生PN结的击穿。

二、npn和npn型三极管的区别?

1、定义不同

NPN型三极管由三个半导体组成,包括两个N型和一个P型半导体,中间是P型半导体,两侧是两个N型半导体。

NPN型三极管是电子电路中最重要的器件,其主要功能是电流放大和开关功能。

PNP型三极管是由两个P型半导体之间夹着1个N型半导体构成的三极管,因此被称为PNP型三极管。也可以将其描述为电流从发射极E流出的三极管。

2、PN结元件方向不同

两个PN结的方向不同,PNP为公共阴极,即两个PN结的N结连接为基极。

NPN相反,NPN的两个P结分别是集电极和发射极。电路图标记为带有向内箭头的三极管。

3、结构不同

PNP型三极管是由两个P型半导体之间夹着N型半导体构成的晶体管,被称为PNP型PNP型三极管。

NPN型三极管是由两个N型半导体以及夹在它们之间的P型半导体组成,并且被称为NPN型三极管。

4、流方向

NPN使用B-E电流(IB)控制C-E电流(IC)。正常放大时,E极电位最低,C极电位通常最高,即VC > VB > VE。

PNP使用E-B电流(IB)来控制E-C电流(IC)。在正常放大期间,E极电位最高,而C极电位通常最低,即VC < VB < VE。

5、电压区别

NPN基极电压高,集电极与发射极短路。低压,集电极和发射极开路。那是行不通的。

PNP基极电压很高。集电极对发射极开放,也就是说,它不起作用。如果将基极施加到低电位,则集电极和发射极会短路。

三、三极管的反向击穿电压?

反向击穿电压,是可以通过半导体材料选择、掺杂质的浓度、PN结的制造工艺等进行控制的。PN结反向击穿电压的数值,可以从几伏到几千伏。稳压二极管就是工作在反向击穿状态,电压可以从几伏到几百伏。

  整流二极管反向击穿电压通常在几十伏到几千伏。一般来说,三极管B-C间反向击穿电压在几十伏到几百伏之间;E-B间反向击穿电压在几伏到十几伏之间。扩散型硅高频三极管E-B间反向击穿电压通常在6V左右,可以用来代替6V左右的小功率稳压管。

四、三极管反向击穿电压最大的是?

首先三极管工作时其发射结一般处于正偏状态,故BVebo反向击穿电压要求不高,通常BVebo<20V,是最低的。

其次,反向击穿主要是漏电流引起的。集电极-基极漏电流Icbo经过β倍放大后成为集电极-发射极漏电流Iceo,故Iceo=βIcbo,而BVceo就小于BVcbo。

五、npn三极管损坏的情况?

1、三极管的软击穿击穿时PN结的温度上升,如果还没有破坏PN结的结构,则造成击穿的条件去除后,PN结的功能能够得到恢复或部分恢复,就可认为不是硬击穿或称为软击穿。2、三极管的硬击穿若温度上升太高,PN结的结构完全破坏,击穿的条件去除后,PN结的功能就不能得到恢复,这种击穿称为硬击穿。硬击穿是一次性造成器件的永久性失效,如器件的输出与输入开路或短路。硬击穿的三极管不能正常工作,通常说烧坏了,需要更换

六、三极管反向击穿电压最大的是vceo?

三极管反向击穿电压最大的是VCeo,这个结论是完全错误的。为什么这样说呢?三极管的反向击穿电压分为Ⅴceo,Ⅴcbo和Ⅴebo。在三种击穿电压中,电压最低的是Ⅴebo,通常只有几伏到十伏左右。第二位才是Ⅴceo,通常是几十伏到几百伏,最高的是∨cbo,通常要比Ⅴceo高几伏到几十伏。

七、npn三极管放大倍数的定义?

npn三极管用在放大电路,其输入端的pn结(基极与发射极)输入信号电流时,三极管的输出端pn结(集电极发射极)就是输出经过放大后的电流。放大的信号信数由三极管的放大倍数决定。

八、三极管pnp和npn的区别?

答:1、定义不同

NPN型三极管由三个半导体组成,包括两个N型和一个P型半导体,中间是P型半导体,两侧是两个N型半导体。

NPN型三极管是电子电路中最重要的器件,其主要功能是电流放大和开关功能。

PNP型三极管是由两个P型半导体之间夹着1个N型半导体构成的三极管,因此被称为PNP型三极管。也可以将其描述为电流从发射极E流出的三极管。

2、PN结元件方向不同

两个PN结的方向不同,PNP为公共阴极,即两个PN结的N结连接为基极。

NPN相反,NPN的两个P结分别是集电极和发射极。电路图标记为带有向内箭头的三极管。

九、测量NPN三极管9014的好坏?

一、数字万用表置于pn结挡

红表笔接B,黑表笔接E,若最高位仍显示1,则说明发射结不通,判断坏;

红表笔接B,黑表笔接C,若最高位仍显示1,则说明集电结不通,判断坏。

红表笔接C,黑表笔接E,若显示变为有限数字甚至滴滴响,则说明C-E间击穿,判断坏。

二、指针万用表置于X1k电阻挡

黑表笔接B,红表笔接E,若表针纹丝不动,则说明发射结不通,判断坏;

黑表笔接B,红表笔接C,若表针纹丝不动,则说明集电结不通,判断坏。

黑表笔接C,红表笔接E,若表针有摆动,则说明C-E间击穿,判断坏。

三极管的判断好坏,可按下面方法进行:

1.基极和管子类型的判别方法:

测量的锗管用R×100档,硅管用R×1K档,先固定红表笔与任意一支脚接触,黑表笔分别对其余两支脚测量。看能否测量到两次较小电阻值,若不能再把红表笔移向其他的脚继续测量到两个小电阻为止,若固定红表笔找不到两个小电阻,可固定黑表笔继续查找。当找到两个小电阻后,被固定的一支表笔所用的脚为基极。

若固定的表笔为黑表笔,则三极管为NPN型,若固定的为红表笔,则该管为PNP。

2.判别集电极:

因为三极管发射极和集电极正确连接时β大(表针摆动幅度大),反接时β就小得多。因此,先假设一个集电极,用欧姆档连接,(对PNP型管来说,发射极接黑表笔,集电极接红表笔)。测量时,用手捏住(或用100KΩ的电阻连接)基极和假设的集电极,两极不能接触,若指针摆动幅度大,而把两极对调后指针摆动小,则说明假设是正确的集电极,从而确定集电极和发射极。

按你上面所述的阻值的三极管不是万用表有问题,就是三极管是坏的。还是先找一个好的三极管按上面的方法测量以后再作比较,就能判断出好坏以及总结经验。

十、npn三极管的总电流等于?

对于npn管,电流从基极和集电极流入,从发射极流出,所以是发射极电流等于基极电流加集电极电流 。

主要区别是电流流向和电压不同:

1、PNP管子是发射极流入后从基极和集电极流出,

NPN管子是基极和集电极流入从发射极流出。

2、PNP管子工作在放大区时电压是,Ue>Ub>Uc,

NPN管子工作在放大区时电压时Uc>Ub>Ue 。

3、PNP管子:

发射极电流 = 集电极电流 + 基极电流 ,

NPN管子:

集电极电流 = 发射极电流 + 基极电流。