锗管的正偏导通电压？

一、锗管的正偏导通电压？

锗管的压降是0.2V~0.3V，在大电流下至少是0.3V。建议你用肖特基二极管，这种二极管额定电流下的正向导通压降低于硅二极管，在0.5V左右，有很多型号能通过很大电流，如1N5820，正向电流3A、反向耐压20V、导通压降0.457V（3A下）；MBR340，正向电流3A、反向耐压40V、导通压降0.525V（3A下），当电流小于3A时，它们的导通压降还会更低

二、三极管导通后be电压是多少？

NPN管0.5--0.7v

三极管相当于是用小电流（Ib）控制大电流（Ic），

截止区就是Ube<0.5V左右，此时Ic电流几乎为0，Ubc反偏。

放大区：Ube>0.5开始，注意并不是要大于0.7V，0.7V是二极管的导通电压，在放大区里，Ube一般是大于0.5V，小于0.65V，此时Ic是Ib的线性放大倍数。

饱和区：随着Ube大于0.65以上，Ic基本上不会再增大，此时Uce会很快降低，而且会迫使Ubc正偏，这些数学关系，可以通过简单的欧姆定律和KCL定律推导

三、锗二极管导通电压

锗二极管导通电压的重要性

在电子元器件中，锗二极管是我们日常生活中常见的一种。它的导通电压是衡量其性能的重要参数之一，对于理解其工作原理和实际应用具有重要意义。在这篇文章中，我们将深入探讨锗二极管导通电压的含义及其对电路性能的影响。

一、锗二极管的导通电压及其定义

锗二极管的导通电压是指当其两端的电压达到一定值时，反向电流开始显著增加，该电压即为其导通电压。对于不同的锗二极管型号，其导通电压可能存在较大的差异。一般来说，导通电压较高的二极管通常具有更强的稳压能力，但同时也意味着更高的功耗损失。

二、导通电压对电路性能的影响

• 稳压性能：导通电压决定了二极管的稳压性能。在电路中，当电源电压发生变化时，具有较高导通电压的二极管能够更好地抑制电压波动，保持电路的稳定运行。
• 功耗损失：导通电压较高的二极管在电路中会导致更高的电流损耗，从而产生更多的热量。这可能会影响电路的稳定性，甚至导致器件损坏。
• 电路设计：在电路设计中，需要根据具体的应用场景选择合适的二极管型号。对于需要较高稳压性能的场合，应选择导通电压较高的二极管；而对于功耗要求较高的应用，应选择导通电压较低的二极管以降低功耗损失。

三、导通电压的测量方法

测量导通电压是评估二极管性能的重要步骤。通常，我们使用数字万用表来测量二极管的导通电压。测量时，将万用表设置在适当的电阻档位，黑表笔接二极管负极，红表笔接正极。当观察到万用表指示的数值即为该二极管的导通电压。

总结：锗二极管的导通电压对其性能有着重要的影响，了解其含义及对电路性能的影响，对于合理选择和应用二极管至关重要。在实际应用中，我们应根据具体需求选择合适的二极管型号，并正确测量其导通电压，以确保电路的性能和稳定性。`

四、三极管导通后电压会变大吗？

三极管导通后C-E压降是随基极电流变化而急剧变化,就是基极电流的变化,引起C-E电阻的变化,实际是集电极电流变化,使得负载电阻上电压变化,利用三极管放大电流，在输出端接上一个电阻，使放大的电流转化为电压。0.7V是发射结的导通电压。 发射结加上1V电压，那就会产生很大的基极电流将发射结烧坏。

五、三极管导通以后b点电压多少？

硅三极管的 B（基极）、E（发射极）电 压降一般0.6伏到0.7伏之间。温度越高压降越低，反之相反。当然基极电流也有关，因为电流越大温度相应增高。

锗管：NPN，基极大于发射极0.3V

PNP，发射基大于基极0.3V

硅材料的NPN三级管工作在饱和区时，集电极和发射极间也会存在0.3V左右的压差。

0.3V乘以流过三极管电流可以计算三极管使用中的功率。

六、三极管导通电压？

三极管的导通电压是不确定的,因为它是电流控制元件。

对于硅三极管，集电极和发射极间的饱和导通电压为0.3v左右，对于锗三极管，集电极和发射极间的饱和，导通电压为0.1v左右，但是如果不是处于饱和区，而是出于放大区,就不确定了，只能确定集电极电流是基极电流的β倍。

七、三极管导通原理？

三极管有三种工作状态，条件分别为：

截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。

放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。

饱和导通：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。

八、三极管何时导通？

饱和导通：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。

九、三极管的导通电压多大?三极管的导通电压多大？

三极管的导通电压是不确定的，因为它是电流控制元件。

对于硅三极管，集电极和发射极间的饱和导通电压为0.3V左右，对于锗三极管，集电极和发射极间的饱和导通电压为0.1V左右，但是如果不是处于饱和区而是出于放大区，就不确定了，只能确定集电极电流是基极电流的β倍。

十、为什么三极管导通后 ce有电压？

是由三极管工作状态所决定

三极管的CE极电压是由它的工作状态决定的，三极管的工作状态分三种：截止、导通、放大，截止时三极管的CE极电压近似于工作电压，导通时三极管的CE极电压为三极管的饱和压降，大约1V左右。

放大时三极管的CE极电压理论上是在工作电压至饱和压降之间变化。