1225可控硅参数？
一、1225可控硅参数？
品牌 :宇芯微
封装 :TO-220B
电压 :1200V
电流 :25A
触发电流 :2mA（MIN值） 30mA（MAX值）
工作结温 :-40~125℃
维持电流 :50mA
类型 :单向可控硅
型号 :TYN1225
二、为什么可控硅加反向电压会关断？
我们先来熟悉一下可控硅的内部结构及工作原理，从中可以得到问题的答案。
可控硅是由四块半导体所组成的，即PNPN，它们的结合形成了三个PN结，可以把这种结构看成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管组成复合管，PNP管的发射极是可控硅的阳极A，NPN管的发射极电可控硅的阴极K，基极是可控硅的控制极G。两个三极管基极分另与对方的集电极相连。
当可控硅加正向电压（A正K负）时，由于两三极管都处于零偏状态而截止，可控硅不导通。当G加正向触发电压时，NPN管导通，其集电极电流也是PNP管的基极电流，PNP管开始导通并进入放大状态，其集电极电流流入NPN的基极，使其基极电流进一步增大，。这样的过程使两管迅速饱和导通，可控硅导通。
当交流电压负半周时，两三极管均加反向电压，都处于截止状态，可控硅关断。
三、1225可控硅引脚参数？
1225可控硅是一种电子元器件，其引脚参数如下：
A1（阳极1）：接入正极电源，用于控制正半周的电流；
A2（阳极2）：接入负极电源，用于控制负半周的电流；
G（闸极）：用于控制可控硅的导通和截止；
K（触发极）：用于给可控硅提供触发脉冲，使其导通。
四、双向可控硅如何关断？
等到交流电经过零点的时候才关掉，可以做个过零检测，快过零的时候之前关掉它。寄存器双向晶闸管导通条件:一是晶闸管 (可控制)阳极与阴极间加正向电压，二是控制极也要加正向电压。
两个发光二材条件具备，晶闸管(可控硅)才会处于导通。
晶闸管(可控硅)一且导通后，即使降低控制极电压或去掉控RS触发制极电压，晶闸管(可控硅)仍然导通。
智能电容双向晶闸管(可控硅)关断条件：降低或去掉加在晶闸管(可控硅)阳极至阴极的正向电压，使阳极电流小8873csb于最小维持电流以下。扩展资料：
闸管导通的条件是:阳极承受正向电压，处于阻断状态的晶闸管，只有在]极加正向触发电压， 多级离心才能使其导通。
门极所加正向触发脉冲的最小宽度，应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流， 查找损坏即擎住电流儿L以上。
导通后的晶闸管管压降很小，使导通了的晶闸管关断的条件是使流过晶闸管的电流减小 锂电池自至一个小的数值，即维持电流IH-下。
五、双向可控硅关断条件？
等到交流电经过零点的时候才关掉，可以做个过零检测，快过零的时候之前关掉它。寄存器双向晶闸管导通条件:一是晶闸管 (可控制)阳极与阴极间加正向电压，二是控制极也要加正向电压。
两个发光二材条件具备，晶闸管(可控硅)才会处于导通。
晶闸管(可控硅)一且导通后，即使降低控制极电压或去掉控RS触发制极电压，晶闸管(可控硅)仍然导通。
智能电容双向晶闸管(可控硅)关断条件：降低或去掉加在晶闸管(可控硅)阳极至阴极的正向电压，使阳极电流小8873csb于最小维持电流以下。扩展资料：
闸管导通的条件是:阳极承受正向电压，处于阻断状态的晶闸管，只有在]极加正向触发电压， 多级离心才能使其导通。
门极所加正向触发脉冲的最小宽度，应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流， 查找损坏即擎住电流儿L以上。
六、双向可控硅关断原理？
双向可控硅的工作原理
1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成
当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。
由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。
由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化
2,触发导通
在控制极G上加入正向电压时（见图5）因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用（见图2）的基础上，加上IGT的作用，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。
七、TYN1225是单向可控硅，触发电压，和电流多少？
触发电压是有要求的，导通前他要过两个PN结的电压，大概1.4-1.5V，触发电流20-40MA，一旦导通，触发脚只有0.2V左右了。
可控硅是可控硅整流器的简称。可控硅有单向、双向、可关断和光控几种类型它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点，被广泛用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等各种自动控制和大功率的电能转换的场合。单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。
八、可控硅如何实现关断呢？
1、可控硅中的PN结——是相临半导体间的空穴与电子扩散而形成各接触层间的电势垒。阻止了电子与空穴的继续扩散和漂移，达到一个平衡状态。
2、但PN结这个电势垒，并不会对外产生电压，这是因为原子核与电子的带电量的中和关系。
3、当PN结正偏时，外界的电子就能通过PN结，形成导通压降（电势垒压降和内阻压降）。
4、当PN结反偏时，相当于外界电压增强了PN结的电势垒，电子与空穴的扩散更是不容易，但是电子与空穴的漂移将大大增强，至于反偏是否能导通，取决于漂移电子的数量。
知道了上述四点，就可以理解可控硅的关断条件了。当G极加上触发电压后，GK间的PN结处于正偏正向导通，这时大量的载流体进入第二个PN结（反偏）正好满足漂流电子的特性就流过了PN结，进入第三个PN结，而这个PN结是正偏，也就顺利导通了，这个PN结导通还为GK间的PN结提供了维持导通的电流，使GK间一直处于正偏。所以只要漂流载流体存在，G极接地或加反压都不能改变GK间的PN结的正偏状态。只有当漂流载流体回零后，或者AK间的外加电压反向时才能破坏载流体的流动，使之回零。
结论：可控硅的关断是使AK上的电压反向或电路中的电流过零，才能使可控硅关断。
福建省柘荣县华源动力设备有限公司
九、可控硅逆变关断原理？
将直流电源变换成固定频率或频率可调的交流电源的可控硅装置，称为可控硅逆变器。
与晶体管逆变器不同，可控硅逆变器需要单独的控制电路。因为要使可控硅导通需要采用触发电路，同时，要使可控硅关断还需要采用一定形式的换向电路。
只用两只可控硅元件，就可制成功率为一百瓦到几千瓦的大功率逆变器。根据选用的可控硅型号，逆变器直流电源电压额定值可达24V～800V。如果逆变器工作频取不太高，可控硅的关断时间与半个周期相差不多时，可以获得较高的效率。
十、可控硅无法关断的原因？
可控硅象二极管一样，具有单相导电特性，可控硅电流只能从阳极流
向阴极，若加反向阳极电压，可控硅处于反向阻断状态，只有极小的
反向电流，但可控硅与二极管不同，它还具有正相导通的可控性，当
仅加上正向阳极电压时，元件还不能导通，这时为正向阻断状态，只
有同时还加上一定的正向门极电压，形成足够的门极触发电流时，可
控硅才能正向导通。而一但导通后，撤掉门极电压，导通仍然维持，
门极失去控制作用。可控硅在反向阳极作用下不论门极为何种电压，
他都处于关断状态，在导通状态时，阳极电压减小到近于零时，可控
硅关断。如果是阳极电压反向，可以使可控硅关断更为迅速。
推荐阅读
